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谊邦YB6500测试仪  半导体参数测试仪

谊邦YB6500测试仪 半导体参数测试仪

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浏览次数:356
产品报价:
1元
公司名称:
西安谊邦电子科技有限公司
所在地区:
西安市
产品型号:
谊邦YB6500测试仪
更新时间:
2018-01-11 16:07
厂商性质:
生产商

本网采购热线:13732256760

QQ:1253397893

(联系我时,请说明是在中国仪表网上看到,谢谢!)
产地 国产 加工定制
品牌

谊邦电子科技YB6500半导体测试仪测试种类多、速度快、精度高、一致性好、操作简单,编测试程序采用添加方式,数据保存为Excel表格。
可待分选机

半导体参数测试仪 详细信息

 一、系统主要指标如下:

一、主极参数

1、主极电压: 100mV---2000V

2、电压分辨率:100mV 

3、电压精度:1%+100mV

4、主极电流:100nA---50A 加选件YB550向下可扩展到20pA,

选件YB580-X向上可扩展到:500A ,1000A,1250A。

5、电流分辨率:100nA 加选件YB550分辨率为10NA

6、电流精度:1%+10nA+20pA/V 

二、控制极参数

1、控制极电压:100mV---20V 加选件可扩展到80V 

2、电压分辨率:1mV

3、电压精度:1%+10mV

4、控制极电流:100nA---10A 加选件可扩展到40A

5、电流分辨率:1nA 加选件YB550分辨率为1pA

6、电流精度:1%+10nA+20pA/V

 二、测试种类
 

 

一、二极管DIODE

参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IR

0.10Vto999V(2kV)(1)

100nA(100pA)(2) 

to50mA

1nA(50pA)(2)

 

 

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)(2)

BVR

0.10Vto999V(2kV)(1)

100nAto50mA

5mV

1%+100mV

VF

 

0.10V to 5.00V

to 9.99V

IF: 10uA 

to49.9A(250A)(4)

to25A(125A)(4)

5mV

1%+10mV

IF:1%+ 100nA

 

二、晶体管 TRANSISTOR

参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ICBO 

ICEO/R/S/X

IEBO

0.10Vto999V(2kV)(1)

0.10Vto20V( 80V)(3)

100nA(100pA)(2)

to50mA

100nA(100pA)(2)

to3A

1nA(50pA)(2)

 

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)(1)

BVCEO/R/E/S

(10mA以上使用300us 脉冲)

BVCBO

BVEBO

0.10Vto450V(900V)(1)

to700V(1.4kV)(1)

to800V(1.6kV)(1)

0.10Vto999V(2kV)(1)

0.10Vto20V(80V)(3)

100nAto200mA

to100mA

to50mA

100nAto50mA

100nAto3A

5mV

 

1%+100mV

 

 

 

1%+10mV

HFE

(1to99,999)

VCE: 0.10V

to5.00V(5)

     to9.99V

     to49.9V

IC: 10uA

to49.9A(250A)(4)

to25A(125A)(4)

to3A

IB:100nAto10A

0.01hFE

 

VCE:  1%+10mV

IC: 1%+100nA

IB: 1%+5nA

VCESAT, VBESAT

VBE(VBEON

VCE:0.10Vto5.00V

to9.99V

VBE:0.10Vto9.99V

IE:10uA

to 49.9A(250A)(4)

to 25A (125A)(4)

IB:100nAto10A

5mV

 

 

V: 1%+10mV

IE:1%+100nA

IB:1%+5nA

 

 

 

 

三、稳压(齐纳)二极管ZENER

参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IR

0.10Vto999V(2kV)(1)

100nA(100pA)(2) 

to 50mA

1nA(50pA)(2)

 

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)(2)

BVZ,

VZ MIN,

VZ MAX 

ZZ

0.10Vto50V

to700V

to999V(kV)(1)

100nA(100pA)(2)

to3A

to100mA

to50mA

5mV

1%+10mV

VF

 

VF:0.10Vto5.00V

to9.99V

IF: 10uA 

to49.9A(250A)(4)

to25A(125A)(4)

5mV

V: 1%+10mV

IF: 1%+ 100nA

 

四、结型场效应管J-FET

参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IGSS

IDOFF.IDGO

0.10Vto20V(80V)(3)

0.10Vto999V(2kV)(1)

100nA(100pA)(2)to3A

100nA(100pA)(2)    

to50mA

1nA(50pA)(2)

 

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)(2)

BVDGO

BVGSS

0.10V

to 999V(2kV) (1)

0.10Vto20V(80V) (3)

100nAto50 mA

100nAto3A

5mV

1%+100mV

1%+10mV

VDSON,VGSON

IDSS, IDSON

RDSON(混合参数

GFS (混合参数

0.10Vto5.00V

to9.99V

 

ID:10uA

to49.9A(250A)(4)

to25A(125A)(4)

IG: 100nAto10A 

5mV

V: 1%+10mV

ID: 1%+ 100nA

IG: 1%+ 5nA

VGSOFF

 

0.10Vto20V(80V)3

ID:100nA(100pA)(2)

to3A

VDS:0.10V to 50V

5mV

 

1%+10mV

 

 

五、MOS场效应管 MOS-FET

 

参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IDSSVIGSSFIGSSR

VGSFVGSR

0.10Vto999V(kV)(1)

0.10V

to20V(80V)(3)

100nA(100pA)(2)

to50mA

100nA(100pA)(2)

to3A

1nA(50pA)(2)

 

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)(2)

BVDSS

0.10Vto999V(2kV)(1)

100nAto50mA

5mV

1%+100mV

VGSTH  

0.10Vto49.9V

ID:100uAto3A

5mV

1%+ 10mV

VDSONVF(VSD)

IDONVGSON

GFS(混合参数

RDSON(混合参数

VDVF: 0.10V

to5.00V

to9.99V

VGS:0.10Vto9.99V

IF.ID:10uA

to49.9A(250A)(4)

to25A(125A)(4)

IG:100nAto10A

5mV

 

 

V:1%+10mV

IF.ID:1%+100nA

IG:1%+5nA

 

六、三端电源稳压器件REGULATOR

 

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

Vo

Input / Output

Regulation

(混合参数)

VO:0.10Vto0V(50V)(3)

VIN:0.10Vto49.9V

负载:电阻或电流型

IO:1mA - 5A

1mV

1%+10 mV

IIN

VIN:0.10Vto20V(50V)(3)

负载:RGK 1kΩ、10kΩ     

外接,开路,短路

IIN:1mA - 3A

10nA

1%+5nA

 

七、光电耦合器 OPTO-COUPLER

电参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ICOFF、ICBO

IR

0.10Vto999V(2kV)(1)

0.10Vto20V(80V)(3)

100nA(100pA)(2)

to50mA

100nAto3A

1nA(50pA)(2)

 

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)(2)

BVCEO, BVECO

 

BVCBO

BVEBO

0.10Vto450V(900V)(1)

to700V(1.4kV)(1)

to800V(1600kV)(1)

0.10Vto999V(2k0V)(1)

0.10Vto20V(80V)(3)

100μAto200mA

to100mA

to50mA

100nAto50 mA

100nAto3A

5mV

1%+100mV

 

 

 

1%+10mV

CTR

(0.01to99,999)

HFE

 (1to99,999)

VF (Opto-Diode)

VCESATVSAT

VCE: 0.10Vto5.00V(5)

         to9.99V

         to49.9V

VF:0.10Vto9.99V

IC:10uA

to49.9A(250A)(4)

to25A(125A)(4)

to3A

IFIB:100nAto10A

0.0001CTR

0.01HFE

 

5mV

V: 1%+10mV

IC: 1%+100nA

IF, IB: 1%+5nA

 

 

八、单向可控硅整流器SCR

参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IDRMIRRM

IGKO

0.10Vto999V(2kV)(1)

0.10Vto20V(80V)(3)

100nA(100pA)(2) to50mA

100nA(100pA)(2)to3A

1nA(50pA)(2)

 

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)(2)

VDRMVRRM

BVGKO

0.10Vto999V(2kV)(1)

0.10Vto20V(80V)(3)

100nAto50mA

100nA to 3A

5mV

 

1%+100mV

1%+ 10mV

VTM

 

0.10Vto5.00V

       to 9.99V

10μAto49.9A(250A)(4)

    to25.0A(125A)(4)

5 mV

 

VT: 1%+10mV

IT: 1%+100nA

I GT

VGT

 

VD:5Vto49.9V

VGT:0.10Vto20V(80V)(3)

VT:100mVto49.9V

IGT:100nAto3A

RL: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT

5 mV

10nA

 

1%+10mV

1%+ 5nA

IL

VD:5Vto49.9V

 

 

IL:100μAto3A

IGT:100nAto3A

RL:12Ω,30Ω,100Ω,EXT

nA

nA

 

IH

 

VD:5Vto49.9V

 

 

IH:10uAto1.5A

IGT:100nAto3A

RL:12Ω\30Ω\100Ω\EXT

(IAK初值由 RL设置)

1uA

1%+2μA

 

九、绝缘栅晶体管IGBT

电参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ICES   

IGESF

IGESR

0.10Vto999V(2000V)(1)

0.10Vto20V(80V)(3)

100nA(100pA)(2)to50mA

100nA(100pA)(2)to3A

1nA(50pA)(2)

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)(2)

BVCES

0.1Vto450V(900V) (1)

    to700V(1400V)(1)

    to800V(1600V)(1)

100μAto200mA

      to100mA       

      to50mA

5mV

1%+100mV

VGETH

0.10Vto20.0V(80V)(3)

100nAto3A

5mV

1%+10mV

VCESAT

ICON

VGEON

VF

GFS(混合参数

VCE: 0.10Vto5.00V

         to9.99V

VGEVF: 0.10Vto9.99V

IC:10μAto49.9A(250A)(4)

       to25A(125A)(4)

IGE IF: 100nAto10A

5mV

V: 1%+10mV

IC IF: 1%+100nA

IGE: 1%+5nA

十、 双向可控硅TRIAC

参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IDRMIRRM

IGKO

0.10Vto999V(2kV)(1)

0.10Vto20V(80V)(3)

100nA(100pA)(2)to50mA 100nA(100pA)(2)to 3A

1nA(50pA)(2)

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)(2)

VDRMVRRM

BVGKO

0.10Vto999V(2kV)(1)

0.10Vto20V(80V)(3)

100nAto50mA

100nAto3A

5mV

 

1%+100mV

1%+ 10mV

VTM

 

0.10Vto5.00V

     to9.99V

10μAto49.9A(400A)(4)

     to25.0A(200A)(4)

5 mV

 

VT: 1%+10mV

IT:1%+100nA

IGT

VGT

 

VD:5Vto49.9V

VGT:0.10Vto20V(80V)(3)

VT:100mVto49.9V

IGT:100nAto3A

RL: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT

5 mV

10nA

 

1%+10mV

1%+ 5nA

IL

VD:5Vto49.9V

 

 

IL:100μAto3A

IGT:100nAto3A

RL:12Ω\30Ω\100Ω\EXT

N/A

N/A

 

IH

 

VD:5Vto49.9V

 

 

IH:10uAto1.5A

IGT: 100nA to 3A

RL: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT

(IAK初值由 RL设置 )

1uA

1%+2μA

十一、达林顿阵列DARLINTON

电参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ICBO 

ICEO/R/S/X

IEBO

0.10Vto999V(2kV)(1)

0.10Vto20V( 80V)(3)

100nA(100pA)(2)to50mA

100nA(100pA)(2)to3A

1nA(50pA)(2)

 

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)(1)

BVCEO/R/E/S

(10mA以上使用300us 脉冲)

BVCBO

BVEBO

0.10Vto450V(900V)(1)

to700V(1.4kV)(1)

to800V(1.6kV)(1)

0.10Vto999V(2kV)(1)

0.10Vto20V(80V)(3)

100nAto200mA

to100mA

to50mA

100nAto50mA

100nAto3A

5mV

 

1%+100mV

 

 

 

1%+10mV

HFE

(1to99,999) 

 

VCE:0.10Vto5.00V(5)

         to9.99V

         to49.9V

IC:10uAto49.9A(250A)(4)

to25A(125A)(4)

to3A

IB: 100nAto10A

0.01hFE

 

VCE: 1%+10mV

IC: 1%+100nA

IB: 1%+5nA

VCESAT,VBESAT

VBE(VBEON)

 

VCE:0.10Vto5.00V

to9.99V

VBE:0.10Vto9.99V

IE:10uAto49.9A(250A)(4)

to25A (125A)(4)

IB: 100nAto10A

5mV

 

 

V: 1%+10mV

IE:1%+100nA

IB:1%+5nA

(1) 需要2KV阳极/集电极选件。

(2) 需要小电流测试台选件,可以提供需要的测试延迟时间为:1ms—99s。

(3) 需要80V低源栅/基极选件。

(4) 需要1.2KA大电流测试台选件。

(5) 充许有电缆压降。

(6) 表中部分器件测试需要定制专门的测试夹具。


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    主极电压:2000V
    主极电流: 50A 加选件可扩展到:400A,500A,800 A,1000 A,1300A.(用户自选)
    电压分辨率:1mV
    电流分辨率:1nA (加YB550分辨率为10pA)
    控制极电压:20V
    控制极电流:10A

    详细内容>>

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