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YB6200  半导体测试仪

YB6200 半导体测试仪

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产品报价:
1元
公司名称:
西安谊邦电子科技有限公司
所在地区:
西安市
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联系人:
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产品型号:
YB6200
更新时间:
2016-07-12 14:38
厂商性质:
生产商
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本网采购热线:0571-87756399
0571-87759942

谊邦电子科技YB6200半导体测试仪测试种类多、速度快、精度高、一致性好、操作简单,编测试程序采用添加方式,数据保存为Excel表格。

半导体测试仪 详细信息

 一、系统主要指标如下:

一、主极参数

1、主极电压: 100mV---2000V
2、电压分辨率:100mV 
3、电压精度:1%+100mV
4、主极电流:100nA---50A 加选件YB550向下可扩展到20pA
选件YB580-X向上可扩展到:500A ,1000A,1250A
5、电流分辨率:100nA 加选件YB550分辨率为10NA
6、电流精度:1%+10nA+20pA/V 
二、控制极参数
1、控制极电压:100mV---20V 加选件可扩展到80V 
2、电压分辨率:1mV
3、电压精度:1%+10mV
4、控制极电流:100nA---10A 加选件可扩展到40A
5、电流分辨率:1nA 加选件YB550分辨率为1pA
6、电流精度:1%+10nA+20pA/V
 二、测试种类
 

 

一、二极管DIODE
参数名称
电压范围
电流范围
分辨率
精度
IR
0.10Vto999V(2kV)(1)
100nA(100pA)(2) 
to50mA
1nA(50pA)(2)
 
 
(1%+200pA+2pA/V)(2)
BVR
0.10Vto999V(2kV)(1)
100nAto50mA
5mV
1%+100mV
VF
 
0.10V to 5.00V
to 9.99V
IF: 10uA 
to49.9A(250A)(4)
to25A(125A)(4)
5mV
1%+10mV
IF:1%+ 100nA
 
二、晶体管 TRANSISTOR
参数名称
电压范围
电流范围
分辨率
精度
ICBO 
ICEO/R/S/X
IEBO
0.10Vto999V(2kV)(1)
0.10Vto20V( 80V)(3)
100nA(100pA)(2)
to50mA
100nA(100pA)(2)
to3A
1nA(50pA)(2)
 
1%+10nA+20pA/V
(1%+200pA+2pA/V)(1)
BVCEO/R/E/S
(10mA以上使用300us 脉冲)
BVCBO
BVEBO
0.10Vto450V(900V)(1)
to700V(1.4kV)(1)
to800V(1.6kV)(1)
0.10Vto999V(2kV)(1)
0.10Vto20V(80V)(3)
100nAto200mA
to100mA
to50mA
100nAto50mA
100nAto3A
5mV
 
 
 
 
1%+10mV
HFE
(1to99,999)
VCE: 0.10V
to5.00V(5)
     to9.99V
     to49.9V
IC: 10uA
to49.9A(250A)(4)
to25A(125A)(4)
to3A
IB:100nAto10A
0.01hFE
 
VCE:  1%+10mV
IC: 1%+100nA
IB: 1%+5nA
VCESAT, VBESAT
VBE(VBEON
VCE:0.10Vto5.00V
to9.99V
VBE:0.10Vto9.99V
IE:10uA
to 49.9A(250A)(4)
to 25A (125A)(4)
IB:100nAto10A
5mV
 
 
V: 1%+10mV
IE:1%+100nA
IB:1%+5nA
 
 
 
 
三、稳压(齐纳)二极管ZENER
参数名称
电压范围
电流范围
分辨率
精度
IR
0.10Vto999V(2kV)(1)
100nA(100pA)(2) 
to 50mA
1nA(50pA)(2)
 
1%+10nA+20pA/V
BVZ,
VZ MIN,
VZ MAX 
ZZ
0.10Vto50V
to700V
to999V(kV)(1)
100nA(100pA)(2)
to3A
to100mA
to50mA
5mV
1%+10mV
VF
 
VF:0.10Vto5.00V
to9.99V
IF: 10uA 
to49.9A(250A)(4)
to25A(125A)(4)
5mV
V: 1%+10mV
IF: 1%+ 100nA
 
四、结型场效应管J-FET
参数名称
电压范围
电流范围
分辨率
精度
IGSS
IDOFF.IDGO
0.10Vto20V(80V)(3)
0.10Vto999V(2kV)(1)
100nA(100pA)(2)to3A
100nA(100pA)(2)    
to50mA
1nA(50pA)(2)
 
1%+10nA+20pA/V
(1%+200pA+2pA/V)(2)
BVDGO
BVGSS
0.10V
to 999V(2kV) (1)
0.10Vto20V(80V) (3)
100nAto50 mA
100nAto3A
5mV
1%+100mV
1%+10mV
VDSON,VGSON
IDSS, IDSON
RDSON(混合参数
GFS (混合参数
0.10Vto5.00V
to9.99V
 
ID:10uA
to49.9A(250A)(4)
to25A(125A)(4)
IG: 100nAto10A 
5mV
V: 1%+10mV
ID: 1%+ 100nA
IG: 1%+ 5nA
VGSOFF
 
0.10Vto20V(80V)3
ID:100nA(100pA)(2)
to3A
VDS:0.10V to 50V
5mV
 
1%+10mV
 
 
五、MOS场效应管 MOS-FET

参数名称
电压范围
电流范围
分辨率
精度
IDSSVIGSSFIGSSR
VGSFVGSR
0.10Vto999V(kV)(1)
0.10V
to20V(80V)(3)
100nA(100pA)(2)
to50mA
100nA(100pA)(2)
to3A
1nA(50pA)(2)
 
1%+10nA+20pA/V
(1%+200pA+2pA/V)(2)
BVDSS
0.10Vto999V(2kV)(1)
100nAto50mA
5mV
1%+100mV
VGSTH  
0.10Vto49.9V
ID:100uAto3A
5mV
1%+ 10mV
VDSONVF(VSD)
IDONVGSON
GFS(混合参数
RDSON(混合参数
VDVF: 0.10V
to5.00V
to9.99V
VGS:0.10Vto9.99V
IF.ID:10uA
to49.9A(250A)(4)
to25A(125A)(4)
IG:100nAto10A
5mV
 
 
V:1%+10mV
IF.ID:1%+100nA
IG:1%+5nA

 
六、三端电源稳压器件REGULATOR

测试参数名称
电压范围
电流范围
分辨率
精度
Vo
Input / Output
Regulation
(混合参数)
VO:0.10Vto0V(50V)(3)
VIN:0.10Vto49.9V
负载:电阻或电流型
IO:1mA - 5A
1mV
1%+10 mV
IIN
VIN:0.10Vto20V(50V)(3)
负载:RGK 1kΩ、10kΩ     
外接,开路,短路
IIN:1mA - 3A
10nA
1%+5nA

 
七、光电耦合器 OPTO-COUPLER
电参数名称
电压范围
电流范围
分辨率
精度
ICOFF、ICBO
IR
0.10Vto999V(2kV)(1)
0.10Vto20V(80V)(3)
100nA(100pA)(2)
to50mA
100nAto3A
1nA(50pA)(2)
 
1%+10nA+20pA/V
(1%+200pA+2pA/V)(2)
BVCEO, BVECO
 
BVCBO
BVEBO
0.10Vto450V(900V)(1)
to700V(1.4kV)(1)
to800V(1600kV)(1)
0.10Vto999V(2k0V)(1)
0.10Vto20V(80V)(3)
100μAto200mA
to100mA
to50mA
100nAto50 mA
100nAto3A
5mV
1%+100mV
 
 
 
CTR
(0.01to99,999)
HFE
 (1to99,999)
VF (Opto-Diode)
VCESATVSAT
VCE: 0.10Vto5.00V(5)
         to9.99V
         to49.9V
VF:0.10Vto9.99V
IC:10uA
to49.9A(250A)(4)
to25A(125A)(4)
to3A
IFIB:100nAto10A
0.0001CTR
0.01HFE
 
5mV
V: 1%+10mV
IC: 1%+100nA
IF, IB: 1%+5nA
 
 
八、单向可控硅整流器SCR
参数名称
电压范围
电流范围
分辨率
精度
IDRMIRRM
IGKO
0.10Vto999V(2kV)(1)
0.10Vto20V(80V)(3)
100nA(100pA)(2) to50mA
100nA(100pA)(2)to3A
1nA(50pA)(2)
 
1%+10nA+20pA/V
(1%+200pA+2pA/V)(2)
VDRMVRRM
BVGKO
0.10Vto999V(2kV)(1)
0.10Vto20V(80V)(3)
100nAto50mA
100nA to 3A
5mV
 
1%+100mV
1%+ 10mV
VTM
 
0.10Vto5.00V
       to 9.99V
10μAto49.9A(250A)(4)
    to25.0A(125A)(4)
5 mV
 
VT: 1%+10mV
IT: 1%+100nA
I GT
VGT
 
VD:5Vto49.9V
VGT:0.10Vto20V(80V)(3)
VT:100mVto49.9V
IGT:100nAto3A
RL: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT
5 mV
10nA
 
1%+10mV
1%+ 5nA
IL
VD:5Vto49.9V
 
 
IL:100μAto3A
IGT:100nAto3A
RL:12Ω,30Ω,100Ω,EXT
nA
nA
 
IH
 
VD:5Vto49.9V
 
 
IH:10uAto1.5A
IGT:100nAto3A
RL:12Ω\30Ω\100Ω\EXT
(IAK初值由 RL设置)
1uA
1%+2μA
 
九、绝缘栅晶体管IGBT
电参数名称
电压范围
电流范围
分辨率
精度
ICES   
IGESF
IGESR
0.10Vto999V(2000V)(1)
0.10Vto20V(80V)(3)
100nA(100pA)(2)to50mA
100nA(100pA)(2)to3A
1nA(50pA)(2)
1%+10nA+20pA/V
(1%+200pA+2pA/V)(2)
BVCES
0.1Vto450V(900V) (1)
    to700V(1400V)(1)
    to800V(1600V)(1)
100μAto200mA
      to100mA       
      to50mA
5mV
1%+100mV
VGETH
0.10Vto20.0V(80V)(3)
100nAto3A
5mV
1%+10mV
VCESAT
ICON
VGEON
VF
GFS(混合参数
VCE: 0.10Vto5.00V
         to9.99V
VGEVF: 0.10Vto9.99V
IC:10μAto49.9A(250A)(4)
       to25A(125A)(4)
IGE IF: 100nAto10A
5mV
V: 1%+10mV
IC IF: 1%+100nA
IGE: 1%+5nA
十、 双向可控硅TRIAC
参数名称
电压范围
电流范围
分辨率
精度
IDRMIRRM
IGKO
0.10Vto999V(2kV)(1)
0.10Vto20V(80V)(3)
100nA(100pA)(2)to50mA 100nA(100pA)(2)to 3A
1nA(50pA)(2)
1%+10nA+20pA/V
(1%+200pA+2pA/V)(2)
VDRMVRRM
BVGKO
0.10Vto999V(2kV)(1)
0.10Vto20V(80V)(3)
100nAto50mA
100nAto3A
5mV
 
1%+100mV
1%+ 10mV
VTM
 
0.10Vto5.00V
     to9.99V
10μAto49.9A(400A)(4)
     to25.0A(200A)(4)
5 mV
 
VT: 1%+10mV
IT:1%+100nA
IGT
VGT
 
VD:5Vto49.9V
VGT:0.10Vto20V(80V)(3)
VT:100mVto49.9V
IGT:100nAto3A
RL: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT
5 mV
10nA
 
1%+10mV
1%+ 5nA
IL
VD:5Vto49.9V
 
 
IL:100μAto3A
IGT:100nAto3A
RL:12Ω\30Ω\100Ω\EXT
N/A
N/A
 
IH
 
VD:5Vto49.9V
 
 
IH:10uAto1.5A
IGT: 100nA to 3A
RL: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT
(IAK初值由 RL设置 )
1uA
1%+2μA
十一、达林顿阵列DARLINTON
电参数名称
电压范围
电流范围
分辨率
精度
ICBO 
ICEO/R/S/X
IEBO
0.10Vto999V(2kV)(1)
0.10Vto20V( 80V)(3)
100nA(100pA)(2)to50mA
100nA(100pA)(2)to3A
1nA(50pA)(2)
 
1%+10nA+20pA/V
(1%+200pA+2pA/V)(1)
BVCEO/R/E/S
(10mA以上使用300us 脉冲)
BVCBO
BVEBO
0.10Vto450V(900V)(1)
to700V(1.4kV)(1)
to800V(1.6kV)(1)
0.10Vto999V(2kV)(1)
0.10Vto20V(80V)(3)
100nAto200mA
to100mA
to50mA
100nAto50mA
100nAto3A
5mV
 
1%+100mV
 
 
 
1%+10mV
HFE
(1to99,999) 
 
VCE:0.10Vto5.00V(5)
         to9.99V
         to49.9V
IC:10uAto49.9A(250A)(4)
to25A(125A)(4)
to3A
IB: 100nAto10A
0.01hFE
 
VCE: 1%+10mV
IC: 1%+100nA
IB: 1%+5nA
VCESAT,VBESAT
VBE(VBEON)
 
VCE:0.10Vto5.00V
to9.99V
VBE:0.10Vto9.99V
IE:10uAto49.9A(250A)(4)
to25A (125A)(4)
IB: 100nAto10A
5mV
 
 
V: 1%+10mV
IE:1%+100nA
IB:1%+5nA
(1) 需要2KV阳极/集电极选件。
(2) 需要小电流测试台选件,可以提供需要的测试延迟时间为:1ms—99s。
(3) 需要80V低源栅/基极选件。
(4) 需要1.2KA大电流测试台选件。
(5) 充许有电缆压降。
(6) 表中部分器件测试需要定制专门的测试夹具。


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