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150  微波等离子CVD金刚石单晶生长系统

150 微波等离子CVD金刚石单晶生长系统

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产品报价:
面议
公司名称:
上海续波光电技术有限公司
所在地区:
国外
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产品型号:
150
更新时间:
2017-01-05 16:58
厂商性质:
代理商
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本网采购热线:0571-87759942

适用范围:高纯度单晶生长及掺杂研究(for high purity single crystal diamond and doping research)、批量化生产单晶(for massive production of single crystal diamond)
生长速度:可高达50?m/h,甚至更高;
生长范围:可在直径50mm范围内生长、或者在直径100mm范围内生长。

微波等离子CVD金刚石单晶生长系 详细信息


单晶研究及掺杂、规模生产型
功率:2.45GHz,6KW;
水冷样品台:直径50mm,样品台旋转可选
真空系统:机械泵+涡轮分子泵TMP
控制系统:半自动或全自动控制
生长速率:高达 50μm/h,or even higher
多种子沉积: 10-25 PCS @5×5, (10×10 or 20×20)

高水平单晶及掺杂工艺培训,现场演示单晶生长。


整体特点:专门为单晶生产及研究配置,易掺杂;可获得高纯度单晶金刚石(SCD),杂质含量<1ppm,无色透明单晶; 可实现高浓度B-doping、N-doping,获得高迁移率金刚石半导体,部分研究机构使用我们的设备已经实现产品化。


大规模单晶生产型:
功率:915MHz,30KW
样品台:直径100mm,水冷,旋转
真空系统:机械泵+分子泵,真空度10-7 Torr
全自动控制模式,手动和半自动可选
生长速率:高达50μm/h
多种子同时生长: 40-100 PCS @5×5, (10×10 or 20×20)
整体特点:专门为大规模单晶生产配置;可获得高纯度单晶金刚石(SCD),可实掺杂,也可以使用该配置设备进行大面积UNCD/PCD生长。


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    品特点概述
    适用范围:生长大面积金刚石薄膜(4-10英寸,甚至更大)
    生长速度:可高达几?m-几十?m/h,甚至更高;
    生长范围:可在直径100mm范围内生长、或者在直径300mm范围内生长。

    详细内容>>

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