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ALD R-200 Standard  原子层沉积系统ALD R-200 Standard

ALD R-200 Standard 原子层沉积系统ALD R-200 Standard

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公司名称:
北京正通远恒科技有限公司
所在地区:
北京市
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产品型号:
ALD R-200 Stand
更新时间:
2015-09-25 10:22
厂商性质:
代理商
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0571-87759942

原子层沉积系统ALD R-200 Standard
PICOSUN™ R系列ALD产品能够沉积高质量薄膜,即使衬底结构十分复杂,如多孔材料、高深宽比的沟槽或者纳米颗粒, 沉积的薄膜均匀性也极其优异。Picosun功能强大、易更换的固、液、气态前驱体输运系统确保可以在硅平面基片,3D复杂基片及所有纳米尺度的特征器件上制备无颗粒的薄膜。

原子层沉积系统ALD R-200 Standa 详细信息

原子层沉积系统技术参数

原子层沉积系统技术参数
衬底尺寸和类型

50 – 200 mm /单片
最大可沉积直径150 mm基片,竖直放置,10-25片/批次(根据工艺)
156 mm x 156 mm 太阳能硅片
3D 复杂表面衬底
粉末与颗粒
多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品

原子层沉积系统工艺温度

50 – 500 °C, 可选更高温度
原子层沉积系统基片传送选件

气动升降(手动装载)
预真空室安装磁力操作机械手(Load lock )
前驱体

液态、固态、气态、臭氧源
4根独立源管线,最多加载6个前驱体源
重量

350 kg
尺寸 (W x H x D)

取决于选件
最小146 cm x 146 cm x 84 cm
最大189 cm x 206 cm x 111 cm
选件

PICOFLOW™扩散增强器,集成椭偏仪,QCM, RGA,N2发生器,尾气处理器,定制设计,手套箱集成(用于惰性气体下装载)。
原子层沉积系统验收标准

标准设备验收标准为 Al2O3 工艺


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