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纳米硅材料研磨均质机，纳米硅材料超高速研磨均质机，上海纳米材料研磨均质机厂家超细纳米研磨均质机
纳米硅材料是本世纪科研的热点材料物质，它一般情况下是一种无毒、无味、无污染的无机非金属材料物质，通常为无定形的白色粉末，其粒径为20-200nm。当硅的空间尺寸小到纳米级时,在量子限制条件下,可能打破硅材料的晶格对称性并使不同的动量态相互混杂,诱发有效的发光与光学增益态,从而获得硅基材料的高效光发射。同时由于硅纳米材料的分散性好，比表面积巨大，光学性能和化学稳定性优良,而广泛应用于涂料、胶粘剂、橡胶、工程塑料等领域,本文重点介绍纳米硅材料制备进展情况。
目前，纳米硅材料的制备方法主要有气相法、超临界法、溶胶-凝胶法、溶剂热法微、乳液法等。应用气相法制备的纳米硅材料纯度较其他方法制备的高，但是由于利用这种方法制备成本高和在生产过程中能耗较大，所以一般都不采用这种方法来制备。微乳液通常是由表面活性剂、助表面活性剂、油、水等组分构成。
影响均质结果的因素有以下几点
1 均质头的形式（批次式和连续式）（连续式比批次好）
2 均质头的剪切速率 （越大，效果越好）
3 均质头的齿形结构（分为初齿，中齿，细齿，超细齿，约细齿效果越好）
4 物料在分散墙体的停留时间，乳化分散时间（可以看作同等的电机，流量越小，效果越好）
5 循环次数（越多，效果越好，到设备的期限，就不能再好）
线速度的计算 超细纳米研磨均质机
剪切速率的定义是两表面之间液体层的相对速率。
- 剪切速率 (s-1) = v 速率 (m/s)
g 定-转子 间距 (m)
由上可知，剪切速率取决于以下因素：
- 转子的线速率
- 在这种请况下两表面间的距离为转子-定子 间距。
IKN 定-转子的间距范围为 0.2 ~ 0.4 mm
速率V= 3.14 X D（转子直径）X 转速 RPM / 60
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由以上可以看出线速度对均质有着关键性的影响.根据一些行业特殊要求，依肯公司在ER2000系列的基础上又开发出ERS2000超高速剪切均质机机。其剪切速率可以超过14000 rpm，转子的速度可以达到41m/s。在该速度范围内，由剪切力所造成的湍流结合专门研制的电机可以使粒径范围小到纳米级。剪切力更强，乳液的粒经分布更窄。由于能量密度ji高,无需其他辅助分散设备.
均质机通过皮带传送，可实现两到三倍的加速，同时立式直立的转轴，运转稳定性大大提高，同时转子动平衡性得到提高，间隙也允许缩小而不产生摩擦。因此立式高剪切均质机有的乳化分散效果。根据其定转子剪切的原理，还可以实现固体物料在液体介质中的粉碎，超细物料的均匀分散，以及加速大分子物质的溶解。经过特别设计的高剪切均质机也可以成为反应发生的场所，比如两种液体物料反应生成固体颗粒，通过分别通入腔体，两种物料接触时被剪切成微滴，均匀混合后反应生成的粒子大小均匀，并且粒径很小。
高剪切均质就是高效、快速、均匀地将一个相或多个相(液体、固体、气体)进入到另一互不相溶的连续相(通常液体)的过程。而在通常情 况下各个相是互不相溶的。当外部能量输入时，两种物料重组成为均一相。由于转子高速旋转所产生的高切线速度和高频机械效应带来的强劲动能，使物料在定、转子狭窄的间隙中受到强烈的机械及液力剪切、离心挤压、液层摩擦、撞击撕裂和湍流等综合作用，形成悬浮液（固/液），乳液（液体/液体）和泡沫（气体/液体）。从而使不相溶的固相、液相、气相在相应成熟工艺和适量添加剂的共同作用下，瞬间均匀精细的分散乳化，经过高频的循环往复，zui终得到稳定的高品质产品。
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立式高剪切均质机由1-3个工作腔组成，在马达的高速驱动下，物料在转子与定子之间的狭窄间隙中高速运动，形成紊流，物料受到更强液力剪切、离心挤压、高速切割、撞击和研磨等综合作用，从而达到分散、乳化、破碎的效果。被加工物料本身和物理性质和工作腔的数量以及控制物料在工作腔中停留的时间决定了粒径分布范围及均化、细化的效果和产量的大小。
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