RAM:采用NV-SRAM 内置高能锂电池,断电数据保护十年;采用铁电存储器(FRAM),具有无限写入、超低功耗、断电*保存数据等超级特性。
时钟芯片:DS12C887 内置高能锂电池,断电数据保护十年。
采样电路:采用高性能的美国AD公司单片真有效值转换电路。
工作电源:一般为AC220V,如不单独引工作电源,而将第1路信号电压兼作工作电源,需订货时注明。
电源功耗:≤3VA。
信号输入回路功耗:≤0.6VA。
时钟误差:≤±1s/24h。
外型尺寸:(l×b×h)160×236×80mm;安装开孔尺寸:150+1×70+1mm。