镇店之宝

行业企业市场标准科技新品会议展会政策原创

我国科学家研制出新型锑化物半导体量子阱激光器

仪表研发仪表网2019年05月27日 08:36:08人气:15248

  【仪表网 仪表研发】锑化物半导体材料在红外制导、海洋监测、深空探索等领域具有重要应用前景,随着锑化物多元素复杂低维材料分子束外延技术的不断进步,国际上锑化物半导体相关的材料与光电器件技术创新发展十分迅速,美、日、德等发达国家竞相开展研究,广为人们瞩目。
 

 
  在国家973计划、国家自然科学基金委重大项目等支持下,中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队深入研究锑化物半导体材料的基础物理、异质结低维材料外延生长和光电器件的制备技术等,突破了锑化物量子阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术。在此基础上,研究团队创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈(LC-DFB)结构,成功实现了2μm波段高性能单模激光器,边模抑制比达到53dB,是目前同类器件的最高值;而且输出功率达到40mW,是目前同类器件的3倍以上。在锑化物量子阱大功率激光器方面, FP腔量子阱大功率激光器单管和巴条组件分别实现1.62瓦和16瓦的室温连续输出功率,综合性能达到国际一流水平并突破国外高端激光器进口限制性能的规定条款。
 
  该成果引起国际学术界和产业界广泛关注,《化合物半导体》杂志评价“该单模激光器开创性提升边模抑制比,为天基卫星载LIDAR系统和气体检测系统提供了有竞争力的光源器件”。该研究成果攻克了短波红外激光器领域关键技术,在危险气体检测、环境监测、医疗与激光加工等诸多高新技术产业具有非常广阔的应用价值。
 
  (原文标题:我国科学家研制出新型锑化物半导体量子阱激光器)
(本文来源:科技部转载请注明出处
关注本网官方微信 随时阅专业资讯
仪表站APP 让生意更简单
@仪表网

全年征稿 / 资讯合作

联系邮箱:ybzhan@QQ.com

我要评论

所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。

  • 凡本网注明"来源:仪表网"的所有作品,版权均属于仪表网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的,应在授权范围内使用,并注明"来源:仪表网"。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。
  • 本网转载并注明自其它来源的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品来源,并自负版权等法律责任。
  • 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
  • 合作、投稿、转载授权等相关事宜,请联系本网。联系电话:0571-87759945,QQ:1103027433。
成丰仪表——中国第三代流量计领军品牌


返回首页
美国dwyer
关闭