东方测控

行业企业市场标准科技新品会议展会政策原创

日找到高纯度氢气提取新方法

专题报道中国仪表网2006年11月05日 11:32人气:778

本报东京11月2日电 日本福岛大学共生系统理工学科佐藤副教授通过制作铟、镓和砷元素掺入碳的化合物半导体膜的试验,开发出利用化合物半导体低成本制造高纯度氢的原理。新方法比目前应用的钒合金模制氢法约降低成本10%%左右。

  起初,佐藤的研究是如何在高速通信用的化合物半导体中除去氢,后来改变想法开始研究氢的精度制造技术。他在实验中制作了在铝基板上铟、镓和砷半导体中加入碳的p型半导体膜,发现这种半导体化合物膜可以作为氢过滤介质过滤氢。在利用压力差进行氢透过实验中,氢形成一个质子氢离子通过膜,而不纯物没有透过,制造出了几乎100%%纯度的氢。他表示,今后将继续对不使用有毒元素的半导体进行试验以及氢透过速度验证。

  氢被视为清洁能源,高纯度的氢广泛用于精细化学药品、半导体以及燃料电池等领域。但是通常从煤炭、天然气等能源中提取氢的方法纯度不足,而制造高纯度氢通常使用的贵金属钒合金模的透过法成本高昂。

(本文来源:转载请注明出处
仪表网官方微信
@仪表网
已推荐
0

全年征稿 / 资讯合作

联系邮箱:ybzhan@QQ.com
  • 凡本网注明"来源:中国仪表网"的所有作品,版权均属于中国仪表网,转载请必须注明中国仪表网,http://www.ybzhan.cn/。违反者本网将追究相关法律责任。
  • 本网转载并注明自其它来源的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品来源,并自负版权等法律责任。
  • 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
成丰仪表——中国第三代流量计领军品牌


返回首页