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“透射电子显微镜”实现65nm设计节点材料分析

产品评测中国仪表网2006年12月08日 14:48人气:644

FEI公司将于近期推出一套透射电子显微镜(TEM),并表示这套TEM将能够进行原子标度成像和半导体晶片分析。
FEI将在Semicon Japan 展会上展出这款Helios NanoLab 400S型透射电子显微镜。Helios NanoLab是一套双电子束TEM系列。NanoLab上的一个聚焦离子束可以切开晶片上极其微小的薄片,而不会损坏相邻的芯片。接着,扫描电子束会对这块薄片进行分析,从而获得半导体晶片上各层的横截面图像。

FEI表示这款TEM的成像分辨率上比之前的模式提高了40%。同时,对于横截面成像,低电压扫描电子显微镜分辨率也有提高,从而能更容易地分析65以下级纳米设计节点的半导体材料。

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