【仪表网 仪表上游】由于大基金和国家政策加持，近两年国内半导体迎来发展高潮，不只中国本土厂商，半导体厂商也竞相在中国布建生产线。新年伊始，各大半导体厂商投资建厂的消息就不断被爆出，包括英特尔、三星和SK海力士等巨头都宣布了新的建厂计划。
早早在大陆布局的三大存储器巨之一的SK海力士动作迅速。据江苏无锡市政府消息，SK海力士将在无锡启动第二工厂建设，总投资金额达到36亿美元。将透露进一步的计划与详细资讯。依据SK海力士在去年12月底公布的投资计划，可以确定的是SK海力士将在2017年7月先投资9500亿韩元(约8.93亿美元)，扩建中国无锡C2厂洁净室，扩大DRAM(存储器)产能，估计2019年4月才会完工、贡献产能。
SK海力士于2005年进军中国无锡，其间历经5期重大投资建设，累计投资金额达到105亿美元，是江苏省投资规模大的外商投资项目，SK海力士无锡厂目前高产能每月可达13万片，约占SK海力士DRAM产能的一半。
同样，为迎接大的存储器市场的需求热潮，存储器市占率的三星将在今明两年追投约5万亿韩元(约合43.5亿美元)的资金用于扩产三星在中国西安的3D NAND Flash(非易失性闪存)厂。
而存储器三巨头之一的美光，则已借助中国台湾地区现有的集成电路半导体基础，进一步提升产能。
新数据显示，国内对存储器集成电路的需求量依然排在，集成电路芯片的需求也将进一步增大。国内对集成电路芯片的自主技术薄弱，一直以来，都极度依赖进口，特别是存储器领域，国内仍未能够实现完全自主的知识产权。
尽管近两年国内大力推进集成电路产业的发展，总体情况有所改变。但是在存储器领域，国内目前仍然仅有武汉长江存储、合肥长鑫及位于晋江的福建晋华存储器三大项目在建。
（原标题：国外大厂加快国内集成电路布局）
