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IR全新30V系列为换器设计带来更高性能

企业风向标中国仪表网2008年05月28日 09:15人气:360

    新器件系列结合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术,比标准SO-8器件的占位面积小40%,而且采用了0.7mm纤薄设计。新一代30V器件的导通电阻 (RDS(on)) 非常低,同时把栅极电荷 (Qg) 和栅漏极电荷 (Qgd) 减至最少,并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。
  IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“凭借我们基准的功率MOSFET硅器件和DirectFET封装,新的30V器件具有非常低的RDS(on)、Qg和Qgd特性,可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25A的操作,同时保持单一控制和单一同步MOSFET的小巧体积。”

  IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M,以及IRF6727M具有极低的RDS(on) 特性,非常适合高电流同步MOSFET。这些新器件与上一代器件采用通用的MT和MX占位面积,所以当需要提高电流水平或改善散热性能时,易于从旧器件转向使用新器件。
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