星际金华库存出售 TPD4EUSB30DQAR瞬态抑制二极管 ** 价格优势 有意者欢迎选购
星际金华* TPD4EUSB30DQAR瞬态抑制二极管 量大价优 实单有接受价可详谈
描述：
TPD2EUSB30，TPD2EUSB30A和TPD4EUSB30是基于2和4通道瞬态电压抑制器（TVS）的静电放电（ESD）保护二极管阵列。TPDxEUSB30 / A器件额定能够以IEC 61000-4-2标准（触点）中规定的大电平消散ESD冲击。根据IEC 61000-4-5（浪涌）规范，这些器件还提供5 A（8 /20μs）峰值脉冲电流额定值。
TPD2EUSB30A提供低4.5 V DC击穿电压。低电容，低击穿电压和低动态电阻使TPD2EUSB30A成为高速差分IO的保护器件。
TPD2EUSB30和TPD2EUSB30A采用节省空间的DRT（1 mm×1 mm）封装。TPD4EUSB30采用节省空间的DQA（2.5 mm×1.0 mm）封装。
规格：
类型 转向装置（轨至轨）
单向通道 4
电压 - 反向关态（典型值） 5.5V（大）
电压 - 击穿（小值） 7V
电压 - 箝位（大值）@ Ipp 8V
电流 - 峰值脉冲（10/1000µs） 1A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲 45W
电源线路保护 是
应用 通用
不同频率时的电容 -
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 10-UFDFN
供应商器件封装 10-USON（2.5x1）
特征：
支持USB 3.0数据速率（5 Gbps）
IEC 61000-4-2 ESD保护（4级触点）
IEC 61000-4-5浪涌保护
5 A（8 /20μs）
低电容
DRT：0.7 pF（典型值）
DQA：0.8 pF（典型值）
动态电阻：0.6Ω（典型值）
节省空间的DRT，DQA包
流通引脚映射
【TPD4EUSB30DQAR瞬态抑制二极管】此型号均为我司*的产品，因产品数量繁多，网上无法一一上传更多产品的有关信息，如没有您所想要的产品信息或图片，请致电咨询公司的工作人员，我们将竭诚为您服务！！！
