磁控溅射仪 返回列表页

一、主要技术性能指标

      系统结构及功能概述

本镀膜系统为圆形真空室结构，后部抽气，正面开门结构，采用优质奥氏体不锈钢制造。溅射沉积室顶板上安装有一只2inch磁控溅射靶，出射束流方向朝向基片架并在基片上得到薄膜。该设备结构简单，可用于研究和开发纳米级单层及多层功能膜，如硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、复合膜、铁磁膜和磁性薄膜等新型薄膜材料。

二、工作原理

溅射沉积系统为一单靶溅射沉积系统，靶固定在真空室顶板上，靶基距可以通过基片架的升降来调节（靶基距60mm～90mm可调）。基片架可升降，采用磁流体密封装置+步进电机驱动，满足基片旋转要求。

  A、真空获得及压力控制

真空获得系统利用涡轮分子泵作为主泵，机械旋片泵作为前级泵对真空系统抽气。真空度控制通过和主泵相连的节流阀来实现。

  B、溅射电源

一只500W数字式直流溅射电源。

三、系统主要参数

• 极限真空度：≤6×10^-5Pa（清洁+烘烤去气条件下12小时内获得）；
• 抽真空时间：20分钟内，≤6×10^-4Pa；
• 基片加热温度：≤600℃；
• 基片尺寸：≤Φ2inch的圆片；
• 基片架数量：1套；
• 靶材尺寸：直径50mm；
• 靶数量：1只；
• 真空室尺寸：DN220*340（根据实际情况可能会适当调整）；
• 基片架移动距离：≤50mm（轴向方向）；
• 气路系统：2路进气，其中1路为放气使用；

四、系统主要配置清单：