C-V/I-V特性测试仪是为半导体C-V特性分析测试和I-V特性测试分析设计的C-V/I-V测试系统。
C-V/I-V特性测试仪具有较高的C-V测试精度，提供流线型C-V曲线和偏置温度压力程序，方便用户使用，点击鼠标就可测量C-V曲线，显示所有C-V曲线绘图和测试结果。密码保护功能允许使用人员预设所有C-V测试结果和压力测试周期。测试结果可保存起来用于后来分析。
C-V/I-V特性测试仪功能
提供Swept,Retrace或Pulsed闪光”和“稳定”功能可达到平衡反转电容。
电导率测量：测量电导率和电容测量真实的器件电容值和耗尽区电导。
掺杂曲线：可把C-V曲线数据转换成“掺杂曲线”，这种掺杂曲线非常适合低掺杂离子注入监测。
C-V/I-V特性测试仪规格参数
PN结掺杂分布：范围1x10^13离子/cm^3到1x10^18离子/cm^3,深度0.01微米~100微米。
深度和掺杂范围由零偏压耗尽宽度,击穿电压和仪器电压范围决定。
典型值：1x10^15离子/cm^3,深度：1~17微米
1x10^16离子/cm^3,深度：0.33~2.5微米
精度：典型+/-2%
MOS掺杂分布：范围2x10^14离子/cm^3到5x10^17离子/cm^3,深度0.01微米~10微米。
深度和掺杂范围由击穿电压,氧化层击穿和仪器电压范围决定。
典型值：1x10^15离子/cm^3,深度：0.01~5微米
1x10^16离子/cm^3,深度：0.01~2微米
精度：典型+/-5%
植入剂量计算： 范围5x10^10离子/cm^2到5x10^12离子/cm^2,
精度：典型+/-8%
寿命： 范围0.1微秒~0.1秒
典型值：100~1000微秒
精度：典型+/-8%
平带电压偏移： 范围：0.005V~50V
典型值：0.05V~0.2V
精度：+/-2%
流动离子电荷浓度:范围1x10^10离子/cm^2到1x10^13离子/cm^2
典型值：2x10^10离子/cm^2/eV
精度：典型+/-2%，+/-1x10^10离子/cm^2
界面陷阱密度：范围2x10^9离子/cm^2/eV到1x10^12离子/cm^2/eV
典型值：3x10^10离子/cm^2
精度：典型+/-7%，+/-3x10^9离子/cm^2/eV
C-V特性 范围：+/-100V,+/-10fA ~+/-1mA
精度：+/-1%
结二极管参数： 范围：Rs0.1~1000欧姆，Is:1x10^-3 ~ 1x 10^-8安培, n:1.0~2.0
典型值：Rs 2欧姆， Is 1x10^-11安培, n:1.2
精度：+/-5%
氧化物击穿场 范围：0~20MV/cm
典型值：8MV/cm
精度：+/-5%.
