ALD系统AT410提供了用于3D样品制备的共形导电薄膜解决方案，同时还提供了目前使用溅射/蒸发生长的传统2D涂层。
ALD系统AT410不仅推动了边界，而且是当前样品制备过程的有效替代品，所有样品制备都在可比价格点的台式配置内。
用于电子显微镜的样品通常受益于添加薄膜。它通常是导电材料，如Pt、Pd或Au。这些导电层有助于抑制充电，减少局部束加热造成的热损伤，并改善二次电子信号。传统上，这些薄膜是使用PVD技术生长的。随着技术的进步，某些类型的样品不适用于PVD，因为需要涂层的特征不适用于现场生长线。
研究人员将受益于获得通过ALD生长的导电薄膜，因为已经开发了一种优化小样本导电金属生长的系统。
ALD系统AT410特点 适合4''样品
压力可控0.1-1.5TORR
满足小样品镀膜需要
7''触摸屏 PLC控制系统
精密以规定剂量体积给料系统
所有金属密闭系统
ALD系统AT410规格参数 腔体温度范围：室温~325℃± 1 °C
Precursor前体温度：室温RT~150 °C ± 2 °C
流线型腔室设计，腔室体积小
快速循环能力（高达1.2nm/min Al2O3）和高曝光、深穿透处理
ALD系统AT410可沉积材料 | MATERIAL CLASS | STANDARD RECIPES | RECIPES IN DEVELOPMENT | SYSTEM CAPABLE MATERIALS |
| Oxides (AxOy) | Al, Si, Ti, Zn, Zr, Hf | V, Y, Ru, In, Sn, Pt | Li, Be, Mg, Ca, Sc, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ga, Sr Nb, Rh, Pd, Sn, Ba, La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd |
| Elementals (A) | Ru, Pd, Pt, Ni, Co | Rh, Os, Ir | Fe, Cu, Mo |
| Nitrides (AxNy) | Zr, Hf, W | Ti, Ta | Cu, Ga, Nb, Mo, In |
| Sulfides (AxSy) | | | Ca, Ti, Mn, Cu, Zn, Sr, y, Cd, In, Sn, Sb, Ba, La, W |
| Other Compounds | AZO (AL:ZnO), AxSiyOz ()A=Al, Zr, Hf | YSZ (yttria stabilized sirconia) ITO | Many others |
