苏州卡森电子有限公司
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主要特性与技术指标测量具有高压偏置的晶体管输入、输出和反向转移电容（Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres）测量独立端接电容（Cgs、Cgd、Cds、Cge、Cgc、Cce）测量常开型器件的电容
主要特性与技术指标
测量具有高压偏置的晶体管输入、输出和反向转移电容（Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres）
测量独立端接电容（Cgs、Cgd、Cds、Cge、Cgc、Cce）
测量常开型器件的电容，例如 SiC JFET 或 GaN FET
测量内置栅极电阻（Rg）
当栅极电压从负电压切换为正电压时，可以连续测量电容
轻松切换泄漏测试和电容测量
工作电压偏置高达 +/-3 kV
简单易用、全自动测量
B1507A 能够识别在实际电路工作电压偏置条件下的不合格器件（偏置高达 3 kV），提供电容测量功能和泄漏测试功能，是弥补传统 IV 测试设备（例如曲线追踪仪）性能不足的解决方案。
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