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1000A（100nm）栅极氧化固态剂量计

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更新时间：2018-05-15 15:40:23浏览次数：376次

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北京华恒鑫达科技发展有限公司

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产品简介

1000A（100nm）栅极氧化固态剂量计

详细介绍

技术要求

典型数值在27°C

氧化层厚度1000A

辐射Vth灵敏度

辐射场 = 0.125 MV/cm : 灵敏度 = 0.09mV/rad
辐射场= 0 MV/cm : 灵敏度= 0.014mV/rad
（灵敏度在 30 krad（H₂O），在以下读写器的配置中使用一个恒量10µA）

温度补偿

TVTC 2.5mV/°C
（该数据出自温度27°C-100°C线性模式中的外推Vtp数值）

线性模式中Z.T.C. 数值 ~ 3µA
（Vs=Vb=0, Vds=-0.1）

饱和模式中Z.T.C.数值 ~ 30µA
（使用以下读写器电路配置）

预辐射剂量计的特点

阈值电压（外推）-2.15 +/- 0.1V

Vth漂移时间（秒）2.2mV/十年
（该数据出自读写器配置强迫40µA.）

氧化层击穿电压 ~ 75V

沟道漏电流Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 10 pA

亚阈值斜率100 +/- 20 mV/十年

沟道电阻Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.3 Mohms

北京华恒鑫达科技发展有限公司还提供深水高纯锗谱仪、蓄水池全自动水样核素活度监测系统、同轴高纯锗探测器GCD系列（液氮致冷）、平面型高纯锗探测器GPD系列（液氮致冷）、便携式高纯锗γ射线谱仪、手持式高纯锗探测器、自带铅室高纯锗谱仪、液体和气体流量核素分析的屏蔽高纯锗谱仪、移动式高纯锗谱仪（现场使用）、X γ射线高纯锗谱仪（电致冷）、流动式高纯锗谱仪、CdZn TeCdTe探测器和相关电子附件、热释光等相关产品。

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