YB6200半导体管测试仪|西安谊邦电子科技有限公司生产|符合《GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法》，
YB6200半导体管测试仪在研究所、院校、企业、电子产品厂家用做IQC部门半导体分立器件的直流参数测试；可连接分选机。
通过增加选件YB580-500，可以扩展主极电流到500A,满足MOSFET、IGBT等功率器件测试需求
1.电学指标
A-K 极间加压范围: ±100mV--2000V
A-K 极间测流范围: ±100nA--49.90A
A-K 极间加流范围: ±100nA--49.90A
A-K 极间测压范围: ±100mV--2000V
G-K 极间加压范围: ±100mV--20V
G-K 极间测流范围: ±100nA--10A
G-K 极间加流范围: ±100nA--10A
G-K 极间测压范围: ±100mV--20V
zui大电压分辨率: 5mV
zui大电流分辨率: 1nA
A-K 极间加/测压精度: 1%+10mV
A-K 极间加/测流精度: 1%+10nA+20pA/V
G-K 极间加/测压精度: 1%+5mV
G-K 极间加/测流精度: 1%+10nA+20pA/V
电参数测试重复性： 2%
2. 可测试器件（DUT）种类
| 序号 | 类型名称 | 符号 |
| 1 | 二极管 | DIODE |
| 2 | 稳压（齐纳）二极管 | ZENER |
| 3 | 晶体管 | TRANSISTOR（NPN/PNP） |
| 4 | 单向可控硅（普通晶闸管） | SCR |
| 5 | 双向可控硅（双向晶闸管） | TRIAC |
| 6 | 金属-氧化物-半导体场效应管 | MOSFET（N-CH/P-CH） |
| 7 | 结型场效应管 | J-FET（N-CH/P-CH） |
| 8 | 绝缘栅双*功率晶体管 | IGBT（N-CH/P-CH） |
| 9 | 达林顿阵列器件 | DARLINGTON |
| 10* | 光电耦合器 | OPTO-COUPLER（NPN/PNP） |
| 11* | 光电逻辑器件 | OPTO-LOGIC |
| 12* | 光电开关管 | OPTO-SWITCH |
| 13* | 固态过压保护器 | SSOVP |
| 14* | 硅触发开关 | STS，SBS |
共计14大类。
* 需要另行定制专门的测试适配器和测试夹具。
3.技术特征
该系统产品为供方引进的合作技术项目，功率电源等方面采用新的航天技术做了改进，各项技术指标同于进口产品，测试稳定性、可靠性高于进口产品，故障率明显低于进口产品。代表了目前*技术水平。具有下面特征：
* 采用嵌入式计算机，运行速度快，扩展能力强，实现脱机运行；
* 采用高速16位并行D/A、A/D和并行内部总线技术设计，速度快、稳定性高；
* 采用脉冲法测试参数、脉宽可为300μS，占空比可达1/3000以上；
* 采用多级开尔文技术，系统稳定性高，测试结果准确，重复性好；
* 在线系统状态、测试结果、故障定位显示功能，使得使用方便简单；
* 完整的系统自检、校准能力，10分钟将系统故障定位到元件级，30分钟完成系统精度检测；
* 完整的软、硬件升级/扩展功能；
* DUT引腿接触性测试、加压限流能力、A-K短路保护、过压/过流保护等能力，保证了系统安全，有效防止DUT损伤；
* 关键元器件均采用进口原装，精密电阻采用国产军级，全部采用进口原装湿型继电器，装焊工艺现已采用航天工艺线代工，保证系统可靠性高于进口产品；
* 二极管极性自动判别功能，不需人工关注极性，提高操作速度，减少失误；
* 填表式编程，3分钟内即可完成一个新器件编程；
* 混合参数编程方式，使电参数测试编程不受器件类别的限制，支持技术人员实现分析编程；
* 单参数测试延时功能，用户可根据需要选择参数测试延迟时间，增加参数测试稳定性；
* 提供系统内部流性负载、阻性负载选择和外部负载接口，zui大极限地满足测试需求；
* 计算步功能，允许将任意测试程序步的测试结果列式计算，形成新的参数，方便新参数定义；
* 分类、分档功能，以便通过编程确定DUT的同异性，测试后自动分类、分档、配对等，提高
DUT使用价值；
* 单步测试功能，用于对单个参数进行测试，同时将测试结果值在前面板上显示，方便在线分析；
* 完整的其它后测试处理能力；
* 所有测试夹具进行了误差补偿和噪声抑制设计。
