上海伯东代理美国* KRI 考夫曼离子源 KDC 75:紧凑栅极离子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.

详细介绍

价格电议

KRI 考夫曼离子源 KDC 75

KRI 考夫曼离子源 KDC 75 技术参数

型号	KDC 75 / KDC 75L(低电流输出)
供电	DC magnetic confinement
- 阴极灯丝	2
- 阳极电压	0-100V DC
电子束	OptiBeam™
- 栅极	, 自对准
-栅极直径	7.5 cm
中和器	灯丝
电源控制	KSC 1212 或 KSC 1202
配置	-
- 阴极中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000
- 安装	移动或快速法兰
- 高度	7.9'
- 直径	5.5'
- 离子束	聚焦平行散设
-加工材料	金属电介质半导体
-工艺气体	惰性活性混合
-安装距离	6-24"
- 自动控制	控制4种气体

* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架

KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域

溅镀和蒸发镀膜 PC

辅助镀膜(光学镀膜)IBAD

表面改性, 激活 SM

离子溅射沉积和多层结构 IBSD

离子蚀刻 IBE

客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置
美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75
<strong>考夫曼离子源 KDC 75</strong>

KRI 考夫曼

离子源 Gridded KDC 系列, 栅极灯丝型离子源, 通过加热灯丝产生电子, 提供低电流高能量离子束. 离子束可选聚焦,平行, 散设三种方式, KDC 系列离子源适用于离子溅镀和蒸发镀膜 PC, 辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD, 表面改性, 激活 SM, 离子溅射沉积和多层结构 IBSD, 离子蚀刻 IBE 等.
考夫曼离子源 KDC 75

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产

考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.

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上海伯东 : 罗先生中国台湾伯东 : 王小姐

关键词：标准