上海伯东代理美国* KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 1

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KRI 考夫曼离子源 KDC 40

上海伯东代理美国* KRI 考夫曼

离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数

型号	KDC 40
供电	DC magnetic confinement
- 阴极灯丝	1
- 阳极电压	0-100V DC
电子束	OptiBeam™
- 栅极	, 自对准
-栅极直径	4 cm
中和器	灯丝
电源控制	KSC 1202
配置	-
- 阴极中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000
- 架构	移动或快速法兰
- 高度	6.75'
- 直径	3.5'
- 离子束	集中平行散设
-加工材料	金属电介质半导体
-工艺气体	惰性活性混合
-安装距离	6-18"
- 自动控制	控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架

KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域

溅镀和蒸发镀膜 PC

辅助镀膜(光学镀膜)IBAD

表面改性, 激活 SM

离子溅射沉积和多层结构 IBSD

离子蚀刻 IBE

KRI 考夫曼

离子源 Gridded KDC 系列, 栅极灯丝型离子源, 通过加热灯丝产生电子, 提供低电流高能量离子束. 离子束可选聚焦,平行, 散设三种方式, KDC 系列离子源适用于离子溅镀和蒸发镀膜 PC, 辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD, 表面改性, 激活 SM, 离子溅射沉积和多层结构 IBSD, 离子蚀刻 IBE 等.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产

考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.

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