热沉积式的 ALD 需要较高的制程温度 (传统为 150-350°C). 上海伯东代理原子层沉积设备可以精准的控制 ALD 的制程, 薄膜的厚度和均匀度皆小于 +/- 1％, 广泛应用于 OLED 和硅太阳能电池的钝化层, 微机电系统, 纳米电子学, 纳米孔结构薄膜, 光学薄膜, 薄膜封装技术等领域.

详细介绍

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准

原子层沉积 ALD 是基于顺序使用气相化学过程的重要技术之一, 它可以被视为一种特殊类型的化学气相沉积 CVD . 多数 ALD反应使用两种或更多种化学物质（称为前驱物, 也称为“反应物"）. 这些前驱物以一种连续的且自我限制的方式, 一次与一种材料的表面反应. 通过多个 ALD 循环, 缓慢地沉积薄膜.

热沉积式的 ALD 需要较高的制程温度 (传统为 150-350°C). 上海伯东代理原子层沉积设备可以精准的控制 ALD 的制程, 薄膜的厚度和均匀度皆小于 +/- 1％, 广泛应用于 OLED 和硅太阳能电池的钝化层, 微机电系统, 纳米电子学, 纳米孔结构薄膜, 光学薄膜, 薄膜封装技术等领域.

上海伯东原子层沉积设备配置和优点
ALD 具有许多优点, 例如出色的均匀性, 在复杂形状的基板表面上沉积的具有相同膜厚的膜保形性, 低温处理. 因此, ALD 被广泛应用于微电子, 纳米技术和生物技术领域中.
客制化的基板尺寸, z大直径可达 300mm 晶圆
优异的薄膜均匀度小于 ±1％
较高的深宽比和复杂结构具有相同特性之薄膜沉积
薄膜具有高致密性
前驱物材料可多达 6种并可分别加热到 200°C
快速脉冲的气体输送阀, 反应时间为 10毫秒
通过稳定的温度控制, 将基板载台加热到 400°C
材料: Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2, TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt … 等等

原子层沉积设备腔体和选件
原子层沉积设备腔体为铝腔或者不锈钢腔体, 其占地面积小, 可缩短制程时间, 通过使用水冷系统, 加热器或加热包来控制腔体温度.
设备可以与传送腔, 机械手臂和手套箱整合在一起, 搭配使用椭圆偏振光谱仪和高真空传送系统.

若您需要进一步的了解上海伯东原子层沉积设备, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗先生