PROSOFT MVI56-CSC 高质量可靠 返回列表页

PROSOFT MVI56-CSC读写周期 

图4为PROSOFT MVI56-CSC嵌入式存储控制器命令状态机状态转换图，通过状态转换控制对DRAM的读、写访问和刷新操作。

PROSOFT MVI56-CSC系统复位时，DRAM空操作，命令状态机处于空闲状态，DRAM初始化完成后，命令状态机对总线地址选通信号sys_ADSn（低电平有效，表示总线请求）和刷新请求信号sys_REF_REQ进行检测，如果有刷新请求，那么命令状态机模块控制DRAM进入刷新周期，否则，若总线地址选通信号sys_ADSn有效，命令状态机转入激活状态，则DRAM进入读写周期。 命令状态机从激活状态无条件转入激活延迟状态，在激活延迟状态对系统控制总线上的读写命令信号进行检测，若信号为高电平（表示读访问）则命令状态机转入读操作状态，继而进行对DRAM读取数据操作；否则状态机转人写操作状态，执行写访问。

对DRAM一个完整的读访问周期需要经过的状态转换过程为空闲-激活-激活延迟-读操作-CAS延迟-数据输出，zui后回到空闲状态。而对DRAM一个完整的写访问周期则需要经过空闲-激活-激活延迟-写操作-数据写入-写恢复-空闲的状态转换过程。 在所实现的VIM-1嵌入式存储控制器中，将DRAM地址位A[10]恒置高电平，设置为自动充电模式，所以对DRAM的充电隐藏在DRAM读写命令操作中。命令状态机转换过程中所涉及到的延迟等待时间，由DRAM模块速度和延迟参数确定。从c_ACTIVE到c_WRITE或c_READ状态之间的虚线表示，在激活延迟小于1个时钟周期的情况下，DRAM从激活状态直接转换到读／写操作状态，延迟实际上隐藏在状态转换的时钟周期中。

 3.4 刷新周期 DRAM存储器需要进行定时刷新，刷新周期描述如下：

（1）PROSOFT MVI56-CSC刷新模块每经过1个刷新请求周期，向控制模块发出刷新请求信号sys_REF_REQ；

（2）PROSOFT MVI56-CSC存储控制器的控制模块发出应答信号sys_REFACK对请求信号进行确认；

（3）应答信号在整个刷新阶段有效，sys_REF_REQ信号发出后必须得到sys_REF_ACK的确认，否则一直保持为高；

（4）在sys_REF_ACK有效期间，不能允许进行读写访问，直到刷新周期完毕，在刷新期间系统接口所有命令将被忽略；

（5）接收刷新请求后，命令状态机经过c_AR刷新状态-c_tRFC刷新等待状态-c_idle空闲状态的转换过程完成对DRAM的刷新控制。并等待接收系统访存指令，完成下一轮的读／写周期。

Applied Materials AMAT Kalrez O-Ring, 3700-02162

Applied Materials AMAT Pressure Transducer, 1350-00255

Applied Materials AMAT Parofluor O-Ring, 3700-04069

Applied Materials AMAT Circuit Board, 0190-02076

APPLIED MATERIALS 0010-09441 WAFER LIFT ASSY, POSN D

APPLIED MATERIALS 0010-09340W SUSCEPTOR LIFTER NEW

New Applied Materials 300 mm Wafer EPI Ring 0200-35081
Expedited shipping available

Applied Materials Millipore Gas Filter, 4020-01185

Applied Materials AMAT Centura Flow Switch, 0190-01186

Applied Materials AMAT Valve Manifold, 0050-26967

Applied Materials AMAT Kalrez O-Ring, 3700-02161

Applied Materials AMAT Kalrez O-Ring, 3700-99066