目前有相当多的方法可以用来评估分批式注入机的杂质颗粒水平。在我们的案例中，通过每周三次用KLA 的SP1机台对控片的杂质颗粒增加进行检测，该控片用来测量不同掺杂离子的表面电阻。同时，在氩气氛中进行离子注入的17片整批晶圆也以相同的频率每隔一天进行监控。使用氩气氛的好处包括可以减少不同注入离子间的交*污染和降低气体使用的成本。这种双重监控方案允许我们获得多重注入源的变化情况，包括不同天之间，不同种类的离子之间以及不同片之间的注入波动情况。这样的监控结果允许我们对大部分（即便不是全部）的标准工艺过程中涉及到相关因素进行详细的分析。

　　对分批式注入机中多种离子交替作用引起的失效进行*的分析是非常困难的。一种办法是使用“分离并鉴别”的方法，首先认定在实际注入过程或晶圆转移过程中是否有杂质颗粒进入。在异常处理（troubleshooting）的初始阶段需要首先建立以无离子束注入时的情况作为基准。对于无离子束失效的情况，下一步是检测晶圆传输装置或者将该系统中的部件分离出来，如机械手、对准器、升降机等，一直到杂质颗粒源被发现为止。另外，将杂质颗粒在晶圆上的分布图与每片晶圆在传输过程传输部件的接触点的位置进行比较。通过大量有重复性的失效可以得到晶圆的失效分布图或者得到与根本原因（rootcause）相关的“信息”。

　　边缘图形失效
　　在低能量分批式注入机（200mm）观察到的一个晶圆图，如图1所示。为了强调这种标记效应，我们将不同次失效的图形按照同样的边缘图形对齐合成为一个综合的失效分布图。这个综合分布图包含68片晶圆的情况，其中每个批次共注入17片晶圆。在所有单个晶圆中，这种边缘图形的标记效应都是很不明显的，就像在图1的矩形条图表中显示的那样。这种图形一般从每个批次第4片晶圆上开始出现，逐渐地增长到第17片晶圆，呈现了zui多数目的杂质颗粒。对于那些只检查一片晶圆来决定杂质颗粒情况的那些晶圆厂（例如每个批次的第1片）可能不会发现这类问题的存在。