压力传感器采用自主研发的技术,使用*的加工技术在SOI晶圆表面的250nm厚可加工材料层上制作出孤立的“岛”状硅敏感电阻阵列,用绝缘膜电隔离技术替代了传统的PN结电隔离技术,由于SOI芯片避免了PN隔离问题,相比于常规的扩散硅压力传感器,具有更好的稳定性,可以实现更高温度下的压力测量。
这是SOI的核心优势所在。
在封装结构方面采用小体积充油式耐高温高压结构,充以特殊的保护液,并进行高宽温区的老化和补偿等,环境适用性强、可靠性高、稳定性好,从而保证了本产品的高性能。
这种结构国内还没有其他单位采用,因此具*的竞争优势。
本产品国内*,*,不存在同类产品竞争问题。
国内从事SOI压力敏感器件研究单位基本没有实用的、可以批量生产的产品。建于我院的“传感器国家工程研究中心”,确立了我院在国内的行业主导地位。目前同类SOI高温系列在武器和特种环境工业过程控制领域得以广泛应用。产品*。
与国外同类产品相比,该产品具有更高的性价比、灵活的配套形式及我们优质的服务。
硅电容差压传感器采用硅电容差压敏感芯片作为传感元件,采用微机械加工技术自主设计制作,层迭对称结构,采用差动电容原理检测压力信号,具有全固态,高精度,高可靠性,高稳定性,温度范围宽,温度、静压影响小,单向过载特性优异,易于后部数字化处理等特点。
它采用全不锈钢壳体,316L隔离膜 片封装、标准差压容室接口。可用于测量液体、气体的差压、流量等参数,可作为过程控制领域用差压变送器的核心部件。广泛应用于石油、化工、电力、冶金、轻工、食品、环保、锅炉控制、带压容器测量等。
硅压阻复合采用硅集成压阻芯片作为传感元件,采用微机械加工技术自主设计制作,能够同时实现对现场中的差压、静压、温度等参数进行测量,具有精度高、体积小、重量轻、稳定性好等特点。采用四膜片静压和过载保护结构,全不锈钢壳体,316L隔离膜片封装及标准差压容室接口,可用来测量差压、静压、流量、液位、温度等参数,广泛应用于石油、化工、电力、造纸等工业领域的测量与过程控制。