四探针电阻率测试仪的主要技术指标
(1) 仪器采用GB/T 1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
(2) 范围:电阻率10-4~10+4欧姆·厘米,分辨率为10-4欧姆·厘米
方块电阻10-3~10+5欧姆/□,zui小分辨率为10-3欧姆/□
(3) 可测量材料:半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等
可准确测量的半导体尺寸:直径≥20㎜
可测量的半导体尺寸:直径≥8㎜
(4) 测量方式:平面测量。
(5)电压表:双数字电压表,可同时观察电流、电压变化
A.量程0~199.99 mV
B.基本误差±(0.004%读数+0.01%满度)
C.输入阻抗﹥1000MΩ
D. 4 1/2位数字显示,0~19999
(6) 恒流源:
A.电流输出:直流电流0.003~100 mA连续可调,有交流电源供给
B.量程:10uA,100uA,1 mA,10 mA,100 mA五档
C.恒流源精度:各档均≤±0.05%
(7) 四探针测试探头
A.探头间距1.59㎜
B.探针机械游率:±0.3%
C.探针直径0.8㎜
D.探针材料:碳化钨,探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧姆。
(8) 便携式电阻率测试仪手动测试架:
JCKDJ-1A 型手动测试架探头上下由手动操作,可以用作断面单晶棒和硅片测试,探针头可上下移动距离:120mm,测试台面200x200(mm)。
(9) 便携式电阻率测试仪测量软件:
JCKDY测量系统微控制器及配套软件于硅晶体的电阻率测量,集多种测量方法为一体,是与JCKDY-1电阻率测试仪配套使用,自动获取电压读数,计算并修正电阻率值,数据自动保存,快速查询,提供打印及数据导出到Excel中,操作简单,方便可靠。
(10 ) 四探针电阻率测试仪精度
电器精度:1-1000欧姆≤0.3 %
整机测量精度:1-500欧姆·厘米≤3%
(11)电流:220V±10%,50HZ,功率消耗﹤35W