星际金华原装现货新品推出东芝 SSM3K35CTC N沟道小信号场效应晶体管
深圳市星际金华供应SSM3K35CTC N沟道小信号场效应晶体管 价格实惠 现货营销 欢迎选购
批号 1815+ 型号 SSM3K35CTC 品牌 TOSHIBA 封装 CST3C
介绍：东芝SSM3K35CTC是一款U-MOS VI小信号MOSFET提供许多不同类型移动设备所需的各种栅极驱动电压。它们提供单通道，双通道，n通道，p通道和各种电压版本，为设计工程师提供了多种选择。每个都需要支持低电压和低R DS（on）要求的高电流充电。这些紧凑的封装和低电压操作使其成为智能手机和游戏机中高密度封装要求的理想解决方案。
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
制造商零件编号 SSM3K35CTC,L3F
描述 MOSFET N-CH 20V 0.18A
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 52 周
详细描述 表面贴装-N-沟道-20V-250mA（Ta）-500mW（Ta）-CST3C
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 250mA（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 1.2V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 1V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） .34nC @ 4.5V
Vgs（大值） ±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 36pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 500mW（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 CST3C
封装/外壳 SC-101，SOT-883
特征
1.2,1.5,1.8和4.5V栅极驱动电压
漏极 - 源极导通电阻低
应用
电源管理开关
DC-DC转换器
高速开关
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