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仪表网>产品库>电子元器件>传感器>位移传感器>PME12-F-0950-S供应商-广州南创-位移传感器
  • PME12-F-0950-S供应商-广州南创-位移传感器

PME12-F-0950-S PME12-F-0950-S供应商-广州南创-位移传感器

参考价
面议
具体成交价以合同协议为准
  • 型号PME12-F-09
  • 品牌
  • 所在地广州市
  • 更新时间2019-10-15
  • 厂商性质经销商
  • 入驻年限1
  • 实名认证已认证
  • 产品数量200
  • 人气值893
产品标签

PME12-F-0950-S

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广州南创电子科技有限公司是国内专业从事进口传感器、测量及控制仪表、称重设备及系统、
检测仪器类产品、以及工业自动化控制系统研发、设计、生产、销售及服务于一体的高科技公司,公司销售部门
主要分为传感器事业部、称重系统工程项目事业部、物联网产品事业部。 称重系统工程项目事业部专注服务于测
量控制系统和工业自动化称重控制系统,可以为客户量身定做各种称重系统方案、现场技术指导及售后培训服务;
并且能够定制各种称重设备:如料斗秤、包装秤、罐装秤、失重秤、配料秤等。

我们的客户遍布国内众多行业领域,包括钢厂、电厂、化工、汽车、机械、自动控制等行业并且同
国内许多企业建立了优良的*合作关系。公司内部实行严格管理,公司分为传感器事业部、系统工程项目事业部、
物联网产品事业部、物流采购部、行政人事部、技术部、总经办。组织结构清晰,分工明确,公司实行ERP系统做单,*产品囤库、
海外仓库拼货,为客户节约成本,提高时效。我们提供原装*,真正做到了让客户服务满意,采购放心。

点击展示更多内容
产地进口 电源相数单相 加工定制
绕组形式双绕组 铁心形状U型 外形结构立式
用M5螺纹机械联结。超出理论电气行程无电气信号的变化,安装更简单。改良型设计,满足各种条件下可靠测量的需求。广泛适用于塑料成型机,立式压力机和其他生产设备。采用新型槽口设计--传统支架式固定系统的理想代替方案。
PME12-F-0950-S供应商-广州南创-位移传感器 产品详情

【广州南创电子科技有限公司】是一家专门销售传感器、变送器、仪器仪表、工控设备等的*。 我们的客户遍布国内众多行业领域,包括钢厂、电厂、化工、汽车、机械、自动控制等行业并且同国内许多企业建立了优良的*合作关系。

PME12-F-0950-S位移传感器概述:

用M5螺纹机械联结。超出理论电气行程无电气信号的变化,安装更简单。改良型设计,满足各种条件下可靠测量的需求。广泛适用于塑料成型机,立式压力机和其他生产设备。采用新型槽口设计--传统支架式固定系统的理想代替方案。

PME12-F-0950-S传感器图片

PME12-F-0950-S产品特点:

有效电气行程(C.E.U)50/100/130/150/175/200/225/275/300/375/400/450/500/600/750/900

独立线性(C.E.U 范围之内)±0.05%

位移速率标准≤5m/s(可选择≤10m/s)

位移力≤2N IP60; ≤10N IP65

振动5-2000Hz,Amax=0.75mm,amax=20g

冲击50g,11ms

工作加速度200m/s2 max (20g)

电阻公差±20%

PME12-F-0950-S产品规格:

电阻公差±20%

*指针电流<0.1μA

zui大指针电流10mA

zui大应用电压60V

电气绝缘>100M欧姆(在500V=,1bar,2s)

绝缘能力<100μA(在500V=,50Hz,1bar,2s)

损耗-40℃(在120℃时为0W)3W

电阻温度系数-200±200ppm/℃

输出电压的实际温度系数<1.5ppm/℃

工作温度范围-30…+100℃

储存温度范围-50…+120℃

外壳材料电镀铝尼龙66GF40

杆的材料不锈钢AISI 303

装备托架

PME12-F-0950-S接线方式

电气连接:

LTH 3极 接头

LTM 4极 DIN43650 ISO4400标准接头

LTB 5极 DIN43322接头

LTF 3极屏蔽电缆(1米长度)

使用寿命>100×106次或>25×106米,二者取小(有效的电气行程之内)

保护等级:IP60(可选择IP65)

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什么是霍尔传感器

  霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

  霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。

  霍尔传感器的原理介绍

  磁场中有一个霍尔半导体片,恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下,I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移,使该片在CD方向上产生电位差,这就是所谓的霍尔电压。

  霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低,霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关,当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时,磁场偏离集成片,霍尔电压消失。这样,霍尔集成电路的输出电压的变化,就能表示出叶轮驱动轴的某一位置。

  利用这一工作原理,可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器,它要有外加电源才能工作,这一特点使它能检测转速低的运转情况。

【广州南创电子科技有限公司】公司内部实行严格管理,公司分为传感器事业部、系统工程项目事业部、物联网产品事业部、物流采购部、行政人事部、技术部、总经办。组织结构清晰,分工明确,公司实行ERP系统做单,*产品囤库、海外仓库拼货,为客户节约成本,提高时效。我们提供原装*,真正做到了让客户服务满意,采购放心。

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