STD8NF25/ICE2PCS06G 场效应晶体管/功率因数修正

深圳市星际金华货源提供STD8NF25/ICE2PCS06G场效应晶体管/功率因数修正，*现货   有意者价格方面可详谈

STD8NF25场效应晶体管

此功率MOSFET已使用意法半导体*的STripFET工艺，专为减少输入而设计电容和栅极电荷。这使得适合用作主开关的设备*的高效隔离式DC-DC电信和计算机应用的转换器，和低栅极电荷驱动的应用要求。

技术 MOSFET（金属氧化物）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 420 毫欧 @ 8A，10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 16nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 500pF @ 25V

功率耗散（大值） 72W（Tc）

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

切换应用

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- 汽车

ICE2PCS06G功率因数修正

•无铅DIP和DSO封装

•直接感应，输入欠压检测

•输出功率可由外部检测电阻控制

•修整，内部固定开关频率（65kHz）

•易于使用，很少有外部组件

•平均电流控制

更大的用户灵活性

•直接感应，输入欠压检测

•启动（SoftStart）时间短

•修整后的内部参考电压（3V + 2％at25o C）

•逐周期峰值电流限制

•开环检测

•增强的动态响应

•无铅DIP和DSO封装

•直接感应，输入欠压检测

•输出功率可由外部检测电阻控制

•修整，内部固定开关频率（65kHz）

•易于使用，很少有外部组件

•平均电流控制

更大的用户灵活性

•直接感应，输入欠压检测

•启动（SoftStart）时间短

•修整后的内部参考电压（3V + 2％at25o C）

•逐周期峰值电流限制

•开环检测

•增强的动态响应

描述

该IC在具有平均电流控制的CCM中运行，并且仅在轻载条件下在DCM中使用。切换频率被修整并内部固定为65kHz。都电流和电压环路补偿在外部完成允许*的用户控制。有多种保护功能可用于确保系统运行条件安全。内部参照-微调（3V + 2％）以确保精确的保护和输出控制级别。

《STD8NF25/ICE2PCS06G场效应晶体管/功率因数修正》此产品均为星际金华*现货供应，实单者可上门看货，感谢你的配合！！！