碳化硅红外光源
装置包括光源室、直流稳压稳流电源和一个冷却用水箱三个组成。又分为成像室和碳化硅棒及其冷却室。成像室采用反射成像光路,反射镜镀金,以增加红外反射率。冷却室采用循环水冷却方式和风冷两种冷却方式。
碳化硅红外光源
规格参数:
型号/参数 SiC140
功率(W) >140
光谱范围(μm) 1~25
孔径比 f/4
光源寿命(h) >400
光路中心高(mm) 128~168(可调)
光源工作温度(K) 900-1200
紫外氘灯光源(116-400nm)
真空紫外光源,辐照强度超高。由于使用了空气制冷结构和真空法兰安装,该产品现在更易于操作。常作为半导体检测、薄膜厚度测量、静电去除器、光谱学、环境计量、光学元件检测、材料抗紫外性测试和激发光源等。
产品特点:
高稳定度
波动0.05 %p-p (Max.)
漂移 +/- 0.3 %h (Max.)
长寿命:1000h保修
空气制冷(无需制冷水)
外部控制
可更换灯管
光谱曲线:
技术参数:
型号 | 窗口 | 光谱范围 | 有效直径 | 输出稳定度漂移(大值) | 输出稳定度波动(峰-峰, 典型值) | 开始放电电压 | 阳极电流 | 管压(典型值) | 寿命 |
VUV6565 | UV glass | 185-400nm | 1mm | ±0.3%/h | 0.005% | 350mA | 300±30mA | 80V | 4000h |
VUV6301 | UV glass | 185-400nm | 0.5mm | ±0.3%/h | 0.005% | 400mA | 2000h | ||
VUV7290 | Synthetic silica | 160-400nm | |||||||
VUV6311 | UV glass | 185-400nm | |||||||
VUV7292 | MgF2 | 115-400nm | 1mm | / | / | 350mA | 2000h |