HOWD德国进口霍沃德HWPC1智能工业级单晶硅压力变送器是HOWD表采用世界上*的单晶硅压力传感器技术与封装工艺，精心研制出的一款*技术的高性能压力变送器。单晶硅压力传感器位于金属本体顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离；玻璃烧结一体的传感器引线实现了与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力。这些单晶硅压力传感器封装技术确保了HWPC1单晶硅压力变送器可从容应对*的化学场合和机械负荷，同时具备*的抗电磁*力，足以应对苛刻的工业环境应用，是名副其实的隐形仪表。
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主要参数 应用场合
测量介质
压力类型 表压
量程范围 1k Pa-a，详见选型表 40MP
输出信号 4-20mA、4-20mA+HART及其它
参考精度
±0.075%量程上限，可选±00.5%量程上限，
详见规格参数
电源影响
当供电电压在10.5/16.5-55VDC内变化， 其零点和量程的变化应不超过 ±0.005%量程上限/V
安装位置影响
任意位置安装 大不超过 ， 400Pa可通过清零功能校正
振动影响
按 / GB T1827./ 3 IEC61298-3测试，<0 1. %量程上限
输出信号
二线制4-20mA，用户可选线性输出或平方根输出，数字过程变量叠加于4-20mA信号上，适用于任何符合HART协议的主机
环境温度影响（典型值）
在-2 8 0-0℃范围内总影响量 ±（0.1+0.15TD）%量程上限
绝缘电阻
≥20MΩ@参考条件下，100VDC
性能测试标准及基准条件
测试标准：GB/T28474/IEC60770；基准条件：从零点开始的量程；硅油充液，316L不锈钢隔离膜片，4-20mA模拟输出，端基微调至设定值
性能指标
总体性能包括并不限于【参考精度】、【环境温度影响】、和其它影响的综合误差
典型精度：±0. %量程上限 075
年稳定性：±0.2%量程上限/5年
参考精度
依据标准和测试基准条件，包括线性（ ）、迟滞、重复 BFSL性。校准温度：20℃±5℃
线性输出精度
TD≤10（注1）±0.075 %量程 上限
10<TD≤20 ±0.0075TD%量程 上限?
标称量程：6kPa40kPa、250kPa1MPa、3MPa10MPa、40MPa10<TD≤20 ±0.0075TD%
注 ： （ 1 TD Turn down）是指量比，TD=URL/｜URV-LRV｜
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