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  • SAM半导体可饱和吸收镜1064nm-激光器件

SAM半导体可饱和吸收镜1064nm-激光器件

参考价
面议
具体成交价以合同协议为准
  • 型号
  • 品牌
  • 所在地
  • 更新时间2020-09-04
  • 厂商性质经销商
  • 所在地区上海市
  • 实名认证已认证
  • 产品数量403
  • 人气值1938
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SAM半导体可饱和吸收镜1064nm-激光器件 产品详情

SAM半导体可饱和吸收镜 1064nm (Saturable Absorber Mirror 1064 nm)

SAM-saturable absorber mirror for laser mode locking

品牌:BATOP

型号:SAM-1064

关键词:半导体可饱和吸收镜, 可饱和吸收耦合输出镜, 共振可饱和吸收镜, 可饱和噪声去除腔, 可饱和吸收体

BATOP 现已成为用于被动锁模激光器的可饱和吸收体供应商。可饱和吸收产品集合了各式各样的不同的器件,从可饱和吸收镜(SESAM),到可饱和输出镜(SOC)和用于透过应用的可饱和吸收体(SA)。迄今为止,可饱和吸收产品已经覆盖了800nm到2.6μm的常用激光波长范围。

SAM product list

Wavelength region 790 nm-830 nm: 800 nm

Wavelength region 910 nm-990 nm: 940 nm | 980 nm

Wavelength region 1020 nm-1150 nm: 1040 nm | 1064 nm | 1100 nm

Wavelength region 1110 nm-1320 nm: 1150 nm | 1300 nm

Wavelength region 1320 nm-1460 nm: 1340 nm | 1420 nm

Wavelength region 1470 nm-1660 nm: 1510 nm | 1550 nm | 1645 nm

Wavelength region 1900 nm-3200 nm: 2000 nm | 2150 nm | 2400 nm | 3000 nm

SAM 1064

laser wavelength

λ = 1064 nm

high reflection band (R>99%)

λ = 1020 .. 1110 nm

absorption

A0 = 0.5 - 70 %

relaxation time

τ ~ 500 fs - 27 ps

型号参数:

Part No. help

Delivery
time

Description

SAM-1064-0.7-1ps-x

1 week

SAM: λ = 1064 nm, absorptance 0.7 %, Δ R = 0.4 %,
τ ~ 1 ps

SAM-1064-1-1ps-x

1 week

SAM: λ = 1064 nm, absorptance 1 %, Δ R = 0.6 %,
τ ~ 1 ps

SAM-1064-1.5-1ps-x

1 week

SAM: λ = 1064 nm, absorptance 1.5 %, Δ R = 0.8 %,
τ ~ 1 ps

SAM-1064-2-1ps-x

1 week

SAM: λ = 1064 nm, absorptance 2 %, Δ R = 1.2 %,
τ ~ 1 ps

SAM-1064-3-1ps-x

1 week

SAM: λ = 1064 nm, absorptance 3 %, Δ R = 1.6 %,
τ ~ 1 ps

SAM-1064-3.5-1ps-x

1 week

SAM: λ = 1064 nm, absorptance 3.5 %, Δ R = 2 %,
τ ~ 1 ps

SAM-1064-4-1ps-x

1 week

SAM: λ = 1064 nm, absorptance 4 %, Δ R = 2.4 %,
τ ~ 1 ps

SAM-1064-5-1ps-x

1 week

SAM: λ = 1064 nm, absorptance 5 %, Δ R = 3 %,
τ ~ 1 ps

SAM-1064-6-1ps-x

1 week

SAM: λ = 1064 nm, absorptance 6 %, Δ R = 3.5 %,
τ ~ 1 ps

SAM-1064-8-500fs-x

1 week

SAM: λ = 1064 nm, absorptance 8 %, Δ R = 5 %

SAM-1064-10-1ps-x

1 week

SAM: λ = 1064 nm, absorptance 10 %, Δ R = 6 %,
τ ~ 1 ps

SAM-1064-13-500fs-x

1 week

SAM: λ = 1064 nm, absorptance 13 %, Δ R = 8 %

SAM-1064-18-500fs-x

1 week

SAM: λ = 1064 nm, absorptance 18 %, Δ R = 10 %,
τ ~ 500 fs, antiresonant multi quantum well structure,

SAM-1064-23-1ps-x

1 week

SAM: λ = 1064 nm, absorptance 28 %, Δ R = 15 %,
τ ~ 1 ps, antiresonant multi quantum well structure,

SAM-1064-26-1ps-x

1 week

SAM: λ = 1064 nm, absorptance 28 %, Δ R = 13 %,
τ ~ 1 ps, resonant multi quantum well structure,

SAM-1064-38-1ps-x

1 week

SAM: λ = 1064 nm, absorptance 38 %, Δ R = 23 %,
τ ~ 1 ps, antiresonant multi quantum well structure,

SAM-1064-70-500fs-x

1 week

SAM: λ = 1064 nm, absorptance 70 %, Δ R = 40 %,
τ ~ 500 fs

  • SAM半导体可饱和吸收镜 波长1064nm
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