电加热器 SRY9 380V 9KW小功率场效应管代换时,应考虑其输入阻抗、
导、夹断电压或开启电压、击穿电压等参数;大功率场效应管
时,应考虑其击穿电压（应为功放工作电压的2倍以上）、耗
率（应达到放大器输出功率的0.5~1倍）、漏极电流等参数
彩色电视机的高频调谐器、半导体收音机的变频器等高频
般采用双栅场效应管,音频放大器的差分输入、调制、放大
电加热器/BRY9/3KW/380V 隔爆型
电加热器/BRY9/3KW/380V 隔爆型电加热器 SRY9 380V 9KW介绍：
命电工电路识图、布线、接线与维修
(2)绝缘栅型场效应管以一块P型薄硅片为
面做两个高杂质的N型区,分别作为源极S和漏极D
覆盖一层绝缘物,然后再用金属铝引出一个电极G(
就是绝缘栅型场效应管的基本结构,其结构如图28所
29.2场效应管的选配、代换及应用
(1)场效应管的选配与代换场效应管损坏后,
型、同特性、同外形的场效应管更换。如果没有同
管,则可以采用其他型号的场效应管代换。
般N沟道场效应管与N沟道场效应管进行代换,P
应管与P沟道场效应管进行代换,大功率场效应管可以代换
场效应管。小功率场效应管代换时,应考虑其输入阻抗、
导、夹断电压或开启电压、击穿电压等参数;大功率场效应管
时,应考虑其击穿电压(应为功放工作电压的2倍以上)、耗
率(应达到放大器输出功率的0.5~1倍)、漏极电流等参数
彩色电视机的高频调谐器、半导体收音机的变频器等高频
般采用双栅场效应管,音频放大器的差分输入、调制、放大
抗变换等电路通常采用结型场效应管。音频功率放大、开关电
路、镇流器、驻电器、电动机驱动等电路则采用MOS场效应管
(2)电加热器/BRY9/3KW/380V 隔爆型场效应管的应用
①双栅场效应管的应用。如图288所示,V为双栅场效应
在电路中起放大作用
② MOSFET的应用。 MOSFET应用于电源电路如图2-89所示
该电路由P沟道功率 MOSFET、运算放大器、电流检测电阻
组成。工作原理如下:运放CA3140组成同相端输入放大器。当
流源输出电流经负载R及Rs,在Rs上产生的电压(R3D)输入
相端,经放大后直接控制P管的栅极G而组成电流反馈电路,
输出电流达到稳定。例如,如有lD↓→R3上的电压↓→同相端
输入电压↓→运放的输出电压↓→运放输出电压↓(R1的电压
Uos(c-Uk1)↑→l↑,这样可保持恒流的稳定性
输出电流的大小是通过电位器RP的调节而达到的。改
电加热器 SRY9 380V 9KW特点：
绝缘栅双极型晶体管( Insulated Gate Bipolar transisto
功率场效应管与双极型(PNP或NPN)管复合后的
型器件,它综合了场效应管开关速度快、控制电压低3
管电流大、反压高、导通时压降小等优点,是目前颇受欢
电子器件。目前国外高压IGBT模块的电流电压
2000430V,采用了易于并联的NPT工艺技术,第四
品的饱和压降显著降低,减少了功率损耗;美国
产的 WrapIGBT开关速度 ,工作频率 可达0
栅双极型晶体管GBT已广泛应用于电动机变频调速控
换机电源、计算机系统不停电电源(UPS)、变频空调器
床伺服控制等。
IGBT是由 MOSFET与GTR复合而成的,其图形符号
所示。GBT基本结构如图290(a)所示,是由栅极G、
集电极E组成的
压控制器件,常
内部有保IGBT内部结构
本护二极管
电路如图290(b
G
IGBT的封装与
E
型大功率三极管
(a)PNP型(b)NPN型(c)带阻尼NPN型
多种封装形式
图2-901GBT的图形符号
所示
简单来说,IGBT等效成一只由 MOSFT驱动的厚
三极管,如图2-92(b)所示。N沟道IGBT简化等效电
PNP管基区内的调制电阻,由N沟道 MOSFET和PNP
合而成,导通和关断由栅极和发射极之间驱动电压la
