晶硅参考片
满足IEC60904-1(2017)要求,采用P型电池材料,光谱响应范围为0-1100nm,辐照测量范围0-1400W/m2,防护等级不小于IP66,信号以RS485 Modbus输出,产品须附带校正报告。
高精度晶硅参考片
满足IEC60904-1(2017)要求,采用N型电池材料,光谱响应范围为0-1100nm,辐照测量范围0-1400W/m2,防护等级不小于IP66,信号以RS485 Modbus输出,产品须附带校正报告。
- 晶硅参考片
性能 |
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供电 | 12-28VDC |
辐照度测量范围 | 0-1400W/m² |
测量参考片温度 | -40℃到90℃ |
通讯协议 | RS-485 Modbus(RTU) |
- 高精度晶硅参考片
性能 |
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电池类型 | N-type A |
面积 | 20*20mm² |
温度传感器 | PT100 class AA |
输出电压(STC) | 15-50mv |
测试报告 | Fraunhofer ISE |
电压温度依赖性 | 0,06363%/°K (valid for HOQ filtered cells) |
视角 | 不超过160° |
防护等级 | IP65 |
工作温度 | -20℃到+45℃ |
工作湿度 | 10-85% RH |