总量程可达±20mA，大分辨率1pA，可变偏压±14V，跨阻放大器
跨阻放大器能够把光电二极管、光电倍增管或类似电流源的电流信号转换成数字信号，并且可以在屏幕上显示出来，由于跨阻放大器是一种低噪声，高增益的装换器，跨阻放大器被广泛用作Unity Quantum高效探测器的精确读出设备，例如UDT Instruments制造的QED-150，探测器暗电流特性，光谱仪读出接口，探测器光谱校准，高增益精密互阻放大器和作为灵敏，高精度的光功率计。
跨阻放大器的电流总量程为±20 nA到±20 mA之间，噪声电平小于1 pA，具有出色的动态范围。可变偏压的范围从-14.00V到+14.00V。偏移控制可将背景信号归零，也可增至当前使用范围的±200％。充满电后，电池的续航为10小时，可边冲边用，也可将充电电池和电源隔离，消除敏感测量期间可能存在的接地回路和/或电源线噪声的影响。
跨阻放大器使用LCD显示屏，通过切换A/W，可选择电流值显示或功率值显示，A / W设置范围从0.100~1.000。可变偏置电源内置在仪器中，并可与被测器件串联。在±20000范围内提供1 pA的大分辨率，因此可以检测被测信号中的微小变化。模拟输出端口提供±2V的范围信号，与显示读数±20000计数成正比。跨阻放大器配有双向Rs-232串口，用户可以远程控制仪器，读取数据和仪器状态。
跨阻放大器的应用
包括：用作Unity Quantum高效探测器的精确读出设备，例如UDT Instruments制造的QED-150，探测器暗电流特性，光谱仪读出接口，探测器光谱校准，高增益精密互阻放大器和作为灵敏，高精度的光功率计。
跨阻放大器特征:
8位动态范围
小于1 pA噪音
大分辨率在± 20 000
Ni-mH可充电电池，低噪音
A/ W值的数字输入产生以瓦为单位的读数
计算机界面，便于控制，该仪器的易用性和便利性是TTI产品的典型特征。2年有限保修
背景取消± 200％
将偏置电源数字设置为-14.00V至+ 14.00V
PDA-750跨阻放大器参数：
| PDA-750 Photodiode Amplifier | |
| 总量程范围 | ± 20 nA to ± 20 mA , 大分辨率1 pA |
| 大输入电流（无损伤） | ± 25 mA |
| 测量误差 | 读数± 0.05 % ，± 2 Least Significant Digits |
| A / W设置 | 0.100 to 1.000 A/W in increments of .005 A/W |
| 输入阻抗（DC至2 KHz） | Zero Ohms Virtual Ground, Single Ended |
| 输入电容 | 25 pF |
| 输出阻抗 | 100 Ohms |
| 偏压 | 可在-14 V至+ 14 V范围内选择，增量为6.5 mv |
| 模拟输出端口 | ±2 V范围内，对应±20000个计数范围 |
| 噪音和漂移 | < ± 1 pA/5 在的范围内 |
| Background Cancellation | ± 200 % of the range in use |
| 模拟输出端口响应频率 | DC至2 KHz，范围，DC至40 KHz，不灵敏范围 |
| Rs-232接口 | 9600 Baud, N-8-1, 3 wire, Bi-directional, Cable Provided |
| 显示 | 4 1/2 位LCD, 0.4" high |
| 电源要求 | 充电电池Ni-mH可提供约10小时的使用时间 |
| 外部电源/充电器 | 85 - 250 VAC, 50-60 Hz, < 9 VA |
| 主电源适配器 | 适配器适用于美国，欧洲大陆，英国，中国和澳大利亚 |
| 工作温度范围 | 0° to 40°C |
| 尺寸 | 140 x 63 x 215 mm |
| 重量 | 0.9 kg (excluding external power supply) |
| Interconnecting cable supplied | Rs-232, 14 feet max length |
| CE认证 | Yes |
| 配件 | Rs-232电缆，电源/充电器，操作手册 |
| 产品质保 | 2年 |
| 应用软件 | 可从TTI 下载 |
PIN10DP光伏探测器参数：
| PIN 10DP Photovoltaic Detector | |
| Active Area | Area (mm2) 100, Dimensions (mm) 11.28ᶲ |
| Peak Responsivity Wavelength typ. (λp) | 970nm |
| Responsivity at λp | Min. 0.55 A/W and typ. 0.60 A/W |
| Capacitance (pF) OV | 9800 Max. |
| Shunt Resistance (GΩ at -10mV) | Min. 0.05 A/W and Typ. 0.2 A/W |
| NEP @ 0V and 970nm | 6.8 3-15 typ. |
| Rise Time @ 0V and 632nm with 50Ω | 1000 ns typ. |
| 温度范围 | 工作温度范围为-40°C至100°C，存储温度为-55°C至125°C |
