JH60D霍尔效应测试系统-低温型
JH60D霍尔效应测试系统-低温型产品概述：
本仪器系统由电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件。为本仪器系统专门研制的 JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性*的工具。实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻）(Magnetoresistance)等
JH60D霍尔效应测试系统-低温型技术指标：
磁 场：10mm 间距为 2T 30mm 间距为 1T
* 样品电流：0.05uA~50mA(调节 0.1nA)
* 测量电压：0.1uV~30V
* 提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同）
* *小分辨率：0.1GS
* 磁场范围：0-1T
* 配合高斯计或数采板可计算机通讯
* I-V 曲线及 I-R 曲线测量等
* 霍尔系数、载流子浓度等参数随温度的变化曲线
* 电阻率范围：10-7~1012 Ohm*cm
* 电阻范围：10 m Ohms~ 6MOhms
* 载流子浓度：103~1023cm-3
* 迁移率：0.1~108cm2/volt*sec
* 温度调节 0.1K
* 温区：77K-293K
* 测试全自动化，一键处理
* 可实现相同温差间的连续测量
JH60D霍尔效应测试系统-低温型系统构成 ：
低温霍尔效应测试系统由电磁铁、真空泵、低温真空腔、高斯计、恒流源、电磁铁电
流源、控温仪和计算机及软件组成。其中，电磁铁电流源给电磁铁提供电流产生磁场；高斯计测量线圈产生的均匀磁场值；恒流源一方面给样品提供电流，用于霍尔效应测试，一方面可以测量样品电压；被测样品置于低温真空腔中，由低温胶固定，并作为四个测试点；低温真空腔引出 4 根导线，两个连接控温仪进行温度的测量及控制，另 1 根是低温探头引线连接到高斯计上，还有 1 根是霍尔样片连接线接到恒流源上；计算机连接高斯计、控温仪、恒流源和电磁铁电流源，通过软件实现控制通过被测样品的电流和磁场值，并获取测得的电压值。
各系统参数：
高精度电磁铁：
极头直径 100mm;
N，S 间距 10mm 时*大磁场 20000Gs
N，S 间距 20mm 时*大 13000 高斯
N, S 间距 30mm 时*大磁场 10000 高斯
均匀区：间距 60mm 时直径 10mm 均匀度 范围1%
自重 110 公斤， 含支架及轮子
高精度双极性恒流电源
输出： ±10A±80V 功率；800W
① 电源输出电流可在正负额定*大电流之间连续变化
② 电流可以平滑过零点，非开关换向
③ 输出电流、电压四象限工作（适合感性负载）
④ 电流变化速率可设置范围为 0.0007～0.3 F.S./s(F.S.为额定*大输出电流）
※ 电流稳定度高，纹波低
①电流稳定度：优于±25ppm/h（标准型）；优 于±5ppm/h（高稳型） ② 电流准确度：±（0.01%设定值+1mA） ③ 电流分辨率：20 bit，例 15A 电源，电流分辨率为 0.03mA
④ 源效应：≤ 2.0×10-5 F.S.（在供电电压变化 10%时，输出电流变化量）
⑤ 负载效应：≤ 2.0×10-5 F.S.（在负载变化 10%时，输出电流变化量）
⑥ 电流纹波（RMS）：小于 1mA
高精度高斯计：
精度：读数的±0.30%
分辨力：0.01mT 量程:0-3T
探头厚度:1.0mm
长度 100mm 数字
Rs-232 接口数据读取软件配 GP3探头
高斯计探头支架及样品架：
全铝非导磁支架 5-70mm 可调；
样品架夹具（按要求）; 5 1 霍尔效应系统软件 可数字化调节磁场及电流,测试各类材料参数
低温恒温器：
80K-293K高低温真空容器
TESK301 恒温仪 控温（65k-600k)
真空泵 K25 真空泵
恒流源及测试表
恒流源量程：±50nA-±50mA；
分辨力 0.1nA 在量程范围内连续可调；
高精度电压数采仪范围 0. 1uV-30V
精度：0.01%
内置测试矩阵转换卡；
欧姆接触套件 根据不同材料的欧姆接触制作套件
控制软件的介绍：
JH60D是一键式测量操作系统，只需设置几个样品参数以及需要的温度，即可一键自动测量，无需一直看管。测量时只需要设置好样片通过的电流、样片所在磁场环境的磁场大小、样品厚度即可进行测量，如需控温，打开温度设置设定需要的温度，选择输出的功率即可进行控温，温度控制需要一小段时间（大概 1min），等温度稳定后，即可进行此温度下的各项参数的测量，数据可以绘图，可以导出至 EXCEL中以便后期处理及使用。
可测试材料:
半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等
低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等
高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等
