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半导体器件动态参数测试系统
系统概述
IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。
半导体器件动态参数测试系统，该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统，适用于电流不超过
半导体器件动态参数测试系统
系统概述
IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。
半导体器件动态参数测试系统，该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统，适用于电流不超过1500A和集电极电压不超过3500V的IGBT器件开关时间测试以及正向电流不超过2000A的二极管反向恢复特性的测试。
基础规格
环境温度：25～35℃
相对湿度：小于75%
大气压力：86Kpa～ 106Kpa
电网电压：AC220V±10%无严重谐波
电网频率：50Hz±1Hz
参数/条件
IGBT开通特性测试 | IGBT关断特性测试 | 测试气动夹具 | |||
测试参数 | 开通延迟 tdon | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 关断时间tdoff | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 压力： 5000PA的品牌空压机供气。 控温范围： 25℃-200℃ 控温精度： ±1.0℃±1% 器件接触： 20个探针的接触矩阵
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上升时间 tr | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 下降时间tf | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | ||
开通能量 Eon | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 关断能量Eoff | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | ||
测试条件 | 集电极电压Vce | 50-3500V±5% 根据用户要求定制 | 集电极电压Vce | 50-3500V±5% 根据用户要求定制 | |
集电极电流Ice | 50-1500V±5% 根据用户要求定制 | 集电极电流Ice | 50-1500V±5% 根据用户要求定制 | ||
负载L | 20-1000uH | L负载 | 20-1000uH | ||
栅极电压Vge | ±15V±3%±0.2V | ||||
短路测试Sct | 一次短路 / 脉宽10uS / 短路电流10KA | ||||
二极管反向恢复测试Drr | 反向恢复电流 / 反向时间 / 反向di / dt | ||||
