| 设备名称 | 卷对卷石墨烯制备管式炉系统—OTF-1200X-II-PE-RR （2019.12.25—科晶实验室审核） | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 产品提示 | 1、多种配件可选提示 2、特殊设备尺寸设备 3、科晶实验室邀请提示 4、配件妥善保管提示 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 产品特点 | ▪ 射频电源可实现等离子增强从而显著降低实验温度； ▪ 质子流量计控制系统可以对气体的输送进行精确的调控； ▪ 收放卷机构别放置于管式炉两端真空腔体内，可保证铜箔在密闭的生长条件下进行运动，可有效的实现大规模制备。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 加热炉参数 | ▪ 温度：1100ºC（<><> ▪ 工作电源：AC 220V，50/60Hz，功率：3KW； • 两个PID温度控制器以及30段可编程温控系统，控温精度：±1℃； ▪ 炉膛保温材料采用高纯氧化铝多晶纤维，并且内炉膛表面涂有美国进口的高温氧化铝涂层，可以提高加热效率，反射率及延长仪器的使用寿命。
更多参数请联系科晶销售部 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 卷对卷铜箔收放密封装置 | ▪ 采用卷对卷收放卷机构进行铜箔的移动及进出料，铜箔的移动速度为1-400mm/min可调； • 配置一卷约5 kg的铜箔，铜箔宽度：65mm，铜箔厚度0.025mm； • 收卷机构与管式炉之间设置冷却装置用于铜箔的快速冷却； • 可根据要求提供特定的卷绕速度控制器及密封法兰。
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| 石英气体喷嘴 | ▪ 石英气体喷嘴可将反应气体与缓冲清洗气体分开通入，有效地减少副反应发生，实现CVD工艺，如局部控制前体浓度化学气相沉积工艺或单晶二维材料薄膜的生长工艺等。
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| 射频电源 | ▪ 科晶公司现有不同功率的射频电源可供选择，以满足不同实验条件的需求。
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| 真空系统 | ▪ 采用TRP-12的双旋真空泵； ▪ KF25卡箍及波纹管用于连接管式炉与真空泵； ▪ 真空度可达10-2Torr。
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| 供气系统 | ▪ 四通道质子流量计控制系统可实现气体流量的精确控制（精确度：±0.02%）； ▪ 流量范围:
▪ 电压：208-240V， AC， 50/60Hz； ▪ 气体进出口配件：6mm OD的聚四氟管或不锈钢管； ▪ 不锈钢针阀用于手动控制气体进出； ▪ PLC触摸屏可以简便地进行气体流量设置。
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| 产品尺寸和重量 | ▪ 整体尺寸：2400 mm L ´600mmW´1250mm H； ▪ 净重：260kg； ▪ 运输重量：500 kg。
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| 认证 | ▪ CE认证 ▪ 所有电器元件通过 UL / MET / CSA认证 ▪ 如您另外付费，我们可以保证单台仪器的TUV(UL61010)或CSA 认证
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| 承诺 | ▪ 一年质保期，终身维护（不包括炉管、硅胶密封圈和加热元件） |
