设备主要以金属源，有机源蒸发为主体，适用于实验室制备金属单质、氧化物、介电质、半导体膜、扫描电镜制样等，也可用作教学及生产线前期工艺试验等，整套设备操作简便，综合功能多，扩展空间大，适合及满足大专院校的教学与科研工作。
蒸镀系统由蒸镀真空室腔体，金属源镀膜系统，有机源镀膜系统，样品台系统，真空泵机组，膜厚检测系统，设备机架和电控系统组成，真空室前门与手套箱对接，该设备采用了一体化的设计方案，使整套设备结构紧凑、布局简洁避免了实验设备外观凌乱的现象。
各部分的技术指标如下：
1、蒸镀真空室腔体
a) 蒸镀真空室腔体均为USU304优质不锈钢D形前后开门结构，真空室内部尺寸D350*450mm（暂定），焊接前各个不锈钢部件需进行物理，化学式表面抛光，焊接后采用电解式抛光，真空室表面洁净美观，真空腔体前后门均配有DN100视窗，可对真空腔体内部进行实时监控，并配有挡板以及防护玻璃，预防观察窗污染；
b) 真空腔体底部安装2套金属源组件（含气动挡板），5套有机源组件（含气动挡板），1200L/S涡轮分子泵真空泵机组，2套烘烤照明系统以及3套水冷膜厚探头等；
c) 顶部安装多功能样品台一套，电动样品托挡板，KF16气动角阀（接通手套箱与真空室，通气作用）以及其他辅助法兰；
d) 左侧安装CF35气动预抽角阀，KF16气动放气阀以及预留若干CF35法兰；
e) 右侧预留若干CF35法兰；
f) 蒸镀设备后侧配有铰链式方门，方便清洗真空腔体，真空室内部调试，维修以及取放物品。
2、蒸镀真空腔蒸发源：2套金属蒸发源，5套有机蒸发源
a) 2套金属蒸发源：配一台1000W可控硅调压电源，数字表显示蒸发电源，电流调整精度0.1A（微调），通过2根铜电极连接，两端可夹钨、钼和钽舟，每个金属蒸发源配有气动挡板，以便随时遮挡蒸发源；
b) 5套有机蒸发源：在源内放置4CC石英舟，配日本导电牌SR93温控表，精度±1℃，可以实现温度或电流补偿实现蒸镀速率稳定的功能，即能实现手动控制电流，配三台温控电源，有机源温度为室温—500度，每个有机蒸发源配有气动挡板，以便随时遮挡蒸发源；
c) 金属采用陶瓷罩密封四周以及隔板分隔，有机源采用隔板分隔，避免交叉污染。
3、蒸镀双真空腔样品台系统：
a) 蒸镀真空腔体样品台具有可升降，可旋转，可水冷（配有热电偶）功能；
b) 样片托架，可安装15*15mm样片25片，附着掩膜板；
c) 样片与蒸发源之间的间距为200-320mm，样片转速0～30转／分连续可调；
d) 样品台安装电动样品挡板；
4、真空泵机组：
a) 通过CF200高真空气动插板阀将真空腔体和1200L/S涡轮分子泵对接，再通过KF40高真空电磁截止阀将分子泵与9L/S机械泵对接；
b) 真空腔体和9L/S机械泵之间需要通过CF35高真空气动角阀连接，KF40高真空电磁截止阀和CF35高真空气动角阀和9L/S机械泵之间都需软管之间连接。
5、膜厚检测系统：
a) 采用SQC310C四通道英福康膜厚仪，膜厚仪拥有监测膜厚速率以及累计膜厚的功能；
b) 其中2个探头用于监测一套金属蒸发源和一套有机蒸发源，1个探头用于监测三套有机蒸发源；
6、设备机架：
设备支撑采用碳钢40方管焊接而成独立机架，表面喷塑，承重主体设备相关系统，并且可以由万向轮移动调整为主，通过地脚定位。
7、电控系统系统：
电气控制部分采用机架内置；
a) 3台有机源控制电源；
b) 1台金属源控制电源；
c) 蒸发源挡板控制电源；
d) SQC310C四通道英福康膜厚仪一台，可实现膜厚监测；
e) 涡轮分子泵电源一台、机械泵控制电源一台以及真空测量计（一低一高）一台；
f) 样品台以及其挡板控制电源一台；
g) 真空腔体内烘烤系统控制电源一台；
h) PLC控制器（10寸彩色触摸屏等）；
i) 总控制电源以及其它辅助控制器。
