详细信息
特性:
l 高达100mw输出功率
l 保偏或者单模可选
l 低RIN
l 激光密封和焊接
l 内置TEC制冷、热敏电阻
应用:
l 模拟 RF 链接
l 高速脉冲
l 光纤传感
l 长距离WDM系统
l 种子光源
主要特征参数:
特征 | Sym. | 最小 | 典型值 | 单位 | |
芯片工作温度 | TCHIP | 20 | 40 | °C | |
阈值电流 | ITH | 50 | mA | ||
驱动电流 | IOP | 375 | 500 | mA | |
输出功率 | Pop | 100mW Version,I=IOP 100 80mW Version, I=IOP 80 63mW Version, I=IOP 63 50mW Version, I=IOP 50 40mW Version, I=IOP 40 | mw | ||
线宽 | Δν | 1 | MHz | ||
相对强度噪声 | RIN | -150 | dBc/Hz | ||
边模抑制比 | SMSR | 30 | dB | ||
偏振消光比 | PER | 17 | 21 | dB | |
光学隔离性 | ISO | 30 | 35 | dB |
* 各种参数需求可定制