仪器简介：
半导体激光器半导体材料作为工作物质的一类激光器，由于物质结构上的差异，产生激光器具体过程比较特殊，常用材料有砷化镓、硫化镉、磷化铟、硫化锌等；激励的方式有电注入，电子束激励和光泵浦三种形式；广泛应用于激光通讯，印制制版、光信息等方面。
实验内容：
1、测试半导体激光器的的阈值电流
2、观察半导体激光器的调制特性曲线
3、测量半导体工作时的功率、电压、电流、画出P-V/P-I/I-V曲线，了解半导体的工作特性
4、学会通过曲线计算半导体激光器的阈值，以及功率效率，外量子效率和外分子效率，并对三者相比较
5、观察截至区、线性区、限流区的型号不同凡响，了解调制工作原理
主要配置和参数：
1、激光器：半导体激光器，20mW
2、功率计：测量范围：200μw—200mw，3位半数显，光敏面积：1cm²
3、电压表：测量范围，200mV，2V，20V，200V；四挡自由切换；三位半数显
4、电流表：精度0.2%，四挡自由可调；200μA，2mA，20mA，200mA；三位半数显
5、接收器：硅光电池：范围400—1050mm
6、波形发生器：三种波形：正玄波、方波、三角波。
7、阈值电流：室温下同质结的阈值电流大于30000A/cm2；单异质结约为8000A/cm2；双异质结约为1600A/cm2。现在已用双异质结制成在室温下能连续输出几十毫瓦的半导体激光器。
8、光谱特性：GaAs激光器，室温下谱线宽度约为几纳米，可见其单色性较差。输出激光的峰值波长：77K时为840nm；300K时为902nm
