霍尔效应旋转位置传感器产品线指南
遍布，这就是霍尼韦尔。我们的非接触式霍尔效应旋转位置传感器在恶劣环境下也能经久耐用。霍尼韦尔传感与控制部将集成电路与调节和保护电路以及两个永磁体一起封装到坚固耐用的外壳中。
工作原理
这类传感器使用一个带磁偏置的霍尔效应集成电路 (IC) 来检测工作范围内驱动器转轴的旋转运动，据此根据磁场变化来调整输出电压或电流。轴的旋转会改变集成电路相对于磁铁的位置，然后检测到磁通密度的变化。集成电路的输出被转换为 90 度行程内的线性输出。
霍尔效应旋转位置传感器
- 根据磁场变化而改变输出电压或电流
- 使用带磁偏置的霍尔效应集成电路 (IC) 来检测驱动器转轴的旋转运动
- 密封、坚固的封装提高了稳定性
 RTY 系列 |  RPN 系列 | |
| 感应范围 | 50° (±25°)、60° (±30°)、70° (±35°)、90° (±45°)、120° (±60°)、180° (±90°)、270° (±135°)、360° (±180°) | 50° (±25°)、60° (±30°)、70° (±35°)、90° (±45°)、120° (±60°)、180° (±90°)、270° (±135°)、360° (±180°) |
| 冗余版 | 无 | 是 |
| 杠杆版 | 是的，可提供 | 是的，可提供 |
| 输入电压 | 低电压：5 Vdc ± 0.5 Vdc 高电压： 10 Vdc 至 30 Vdc | 5 Vdc、8 至 30 Vdc、10 Vdc 至 30 Vdc |
| 输出 | 低电压：0.5 V 至 4.5 V 比率测量（标准）；4.5 V 至 0.5 V 比率测量（反向） 高电压：0.5 V 至 4.5 V 比率测量（标准）；4.5 V 至 0.5 V 比率测量（反向） | 0.25 V 至 4.75 V、0.5 V 至 4.5 V、1 V 至 9 V、3 V 至 5 V、4.5 V 至 0.5 V、4.75 V 至 0.25 V、4 mA 至 20 mA、20 mA 至 4 mA |
| 输入电流 | 低电压：值是 20 mA；在输出到接地短路期间，值是 25 mA。 高电压：值是 32 mA；在输出到接地短路期间，值是 47 mA。 | 值 20 mA |
| 工作温度范围 | -40°C 至 125°C [-40°F 至 257°F] | -40°C 至 125°C [-40°F 至 257°F] |
| 连接器 | AMP 超级密封 | AMP 1-1419168-1，AMP Superseal 282087-1，Deutsch DT04-3P |
| 寿命 | 35 M 周期 | 30 M 周期 |
| EMI/EMC | • EMI 辐射抗扰：100 V/m，200 MHz 至 1000 MHz/ISO11452-2 • EMI 传导抗扰： - 低电压：100 mA BCI 符合 ISO11452-4，从 1 MHz 至 200 MHz - 高电压：100 mA BCI 符合 ISO11452-4，从 1 MHz 至 400 MHz • EMC：高于 CE 要求 | EMC：200 V/m ISO 11452-3 |
| 外壳材料 | PBT 塑料 | PA66塑料 |
| 尺寸 | 55 mm L x 43 mm W x 41 mm H [2.17 in L x 1.69 in W x 1.61 in H] | 63 mm L x 38.8 mm W x 56 mm H [2.48 in L x 1.53 in W x 2.20 in H] |
