扩散硅压力变送器 硅单晶材料在受到外力作用产生***微小应变时(一般步于400微应变)，其内部原子结构的电子能级状态会发生变化，从而导致其电阻率剧烈变化(G因子突变)。用此材料制成的电阻也就出现***大变化，这种物理效应称为压阻效应。利用压阻效应原理，采用集成工艺技术经过掺杂、扩散，沿单晶硅片上的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥，利用硅材料的弹性力学特性，在同一切硅材料上进行各向异性微加工，就制成了一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器。给传感器匹配一放大电路及相关部件，使之输出一个标准信号，就组成了一台完整的扩散硅压力变送器。
扩散硅压力变送器概述
扩散硅压力变送器采用具有成熟技术进口陶瓷传感器，再配以高精密电子元件，经严格要求的工艺过程装配而成。它与使用的常规压力变送器相比。有两个显著不同的技术差别：一是测量元件采用新兴的高精密陶瓷材料；二是测量元件内无中介液体，是*固体的。
扩散硅压力变送器压力变送器具有工作可靠、性能稳定、安装使用方便、体积小、重量轻、性能价格比高等点，能在各种正负压力测量中得到广泛应用。采用进口扩散硅或陶瓷芯体作为压力检测元件，传感器信号经高性能电子放大器转换成0-10mA或4-20mA统一输出信号。可替代传统的远传变送器，霍尔元件、差动变送器，而且具备DDZ-Ⅱ及DDZ-Ⅲ型变送器性能。能与各种型号的动圈式指示仪、数字变送器、电子电位差计配套使用，也能与各种自动调节系统或计算机系统配套使用。
精度等级：0.25级基本误差±0.25%
非线性误差：0.3级≤±0.3%FS
滞后误差：≤±0.3%FS
输出特性：
①0-10mA输出，负载电阻0-1.5KΩ
②4-20mA输出，负载电阻0-600Ω
③恒流输出内阻大于10MΩ
④二线制4-20mA输出：标准供电DC24V
防爆标志：（RPT-Ⅲ）：Exia Ⅱ CT4-6
扩散硅压力变送器选型表：
| 扩散硅压力变送器 | ||||||
| 代码 | 量程范围 | |||||
| A | 0-5KPa-20KPa | |||||
| B | 0-20KPa-70KPa | |||||
| C | 0-70KPa-350KPa | |||||
| D | 0-200KPa-700KPa | |||||
| E | 0-0.7MPa-3.5MPa | |||||
| F | 0-2.0MPa-7MPa | |||||
| G | 0-7MPa-35MPa | |||||
| H | 0-20MPa-100MPa | |||||
| 代码 | 精度等级 | |||||
| Ⅰ | 0.1% | |||||
| Ⅱ | 0.25% | |||||
| Ⅲ | 0.5% | |||||
| 代码 | 输出代号 | |||||
| E | 4-20mADC二线 | |||||
| K | 0-10mA | |||||
| M | 用户约定 | |||||
| 代码 | 压力连接 | |||||
| R | 标准型(M20×1.5) | |||||
| P | 齐平膜 | |||||
| O | 按用户尺寸加工 | |||||
| 代码 | 选项 | |||||
| i | 本安型iaⅡCT6 | |||||
| d | 隔爆型dⅡBT4 | |||||
| T | 船用型 | |||||
| M1 | 线性指示表 | |||||
| M2 | LED数字显示表 | |||||
| M3 | LCD显示表 | |||||
| Z | 阻尼调整 | |||||
| Q | 迁移 | |||||
| A | 绝压测量 | |||||
| F | 负压测量 | |||||
| C | 选用陶瓷传感器（带＊量程无） | |||||
| S | 散热器及过程连接件 | |||||
| Y | 用户约定 | |||||
扩散硅压力变送器具有工作可靠、性能稳定、安装使用方便、体积小、重量轻、性能价格比高等点，能在各种正负压力测量中得到广泛应用。
压力变送器采用进口扩散硅或陶瓷芯体作为压力检测元件，传感器信号经高性能电子放大器转换成0-10mA或4-20mA统一输出信号。
压力变送器可替代传统的远传压力表，霍尔元件、差动变送 器，并具有DDZ-Ⅱ及DDZ-Ⅲ型变送器性能。该系列压力变送器能与各种型号的动圈式指示仪、数字压力表、电子电位差计配套使用，压力变送器也能与各种自动调节系统或计算机系统配套使用。
