LINSEIS L75V 垂直模式热膨胀仪系列的开发是为了满足世界各地学术界和实验室研究的需求。该系列热膨胀仪可以测定固体、液体、粉末和胶体的热膨胀系数。由于垂直系统的“零摩擦”的设计保证了测量结果的准确性，该系统的的垂直设计适合低或超低膨胀系数材料。该系列热膨胀仪能够在真空条件下，氧化性和还原性气氛中测量。
该系统可以用于单样品或差示条件下测量以获得更高的精度或样品通量。该系列热膨胀仪的可选机械和电子部件便于拆卸在手套箱中的测量。
新低温炉配件：温度可降至10K
LINSEIS L75垂直超低温操作系统（零摩擦）。该系统提供一个宽泛的温度范围（-260°C ——+220°C ），多种样品支架可选。在真空或程序控制的氧化环境或还原环境中进行测量时，仍能保证高精度和易操作性。
可以测量以下的物理性质：
热膨胀系数，线性热膨胀，物理热膨胀，烧结温度，相变，软化点，热分解温度，玻璃化转变温度。
| 型号 | DIL L75 垂直 |
| 温度范围 | -263 至 2800°C |
| LVDT: |
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| Delta L 分辨率 | 0.03 nm |
| 测量范围 | +/- 2500 µm |
| 接触压力 | 10 mN 至 1 N |
| Optical Encoder: |
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| Delta L 分辨率: | 0.1 nm |
| 测量范围 | +/- 25000 µm |
| 样品长度自动检测 | 是 |
| 压力调节 | 是 |
| 接触压力 | 10 mN 至 5N |
| 多炉体配置 | 可配置三炉体 |
| 电加热炉 | 包含 |
| 气体计量装置 | 手动气体计量或质量流量控制，1/3或更多气路 |
| 接触压力调整 | 包含 |
| 单杆/双杆热膨胀 | 可选 |
| 软化点检测 | 包含 |
| 密度测定 | 包含 |
| L-DTA: | 可选 (至 2000°C) |
| 速率控制烧结（RCS）： | 包含 |
| 热分析数据库 | 包含 |
| 电恒温探头 | 包含 |
| 低温附件 | LN2, Intra |
| 真空密闭设计 | 是 |
| 真空装置 | 可选 |
| OGS吸氧系统： | 可选 |
所有的LINSEIS热分析设备都是用计算机控制的，各个软件模块仅在Microsoft® Windows® 操作系统上运行。完整的软件包括3个模块：温度控制，数据采集和数据分析。与其他热分析系统一样，该用于热膨胀测量的32位Linseis软件可以实现所有测量准备、实施和评估的基本功能。经过专家和应用工程师的努力，LINSEIS开发出这款容易操作且实用的软件。
特点
- 文本编辑
- 断电保护
- 热电偶破损保护
- 重复测量可少的输入参数
- 实时测试评估
- 测量曲线比较：多达32条曲线
- 评估结果保存及导出
- ASCII数据导入与导出
- 数据生成到MS Excel
- 多种方法分析（DSC TG 、TMA、DIL等）
- 缩放功能
- 一阶/二阶求导
- 气氛程序控制
- 统计评估
- 自由调节坐标轴
DIL-特点
- 玻璃化和软化点分析
- 软化点判定及系统保护
- 显示相对/收缩或膨胀曲线
- 显示和计算工程/物理膨胀系数
- 烧结速率控制软件（RCS）
- 烧结过程分析
- 半自动分析功能
- 多系统校正功能
- 自动归零
- 软件自动控制调节样品压力
以下是我们提供配件的简要摘录：
炉体选择：
- L75V Cryo -260°C —— +220°C
- L75V 500LT -180°C —— +500°C
- L75V 700LT -180°C —— +700°C
- L75V 1000LT -180°C —— +1000°C
- L75V 1000 RT —— 1000°C
- L75V 1400 RT —— 1400°C
- L75V 1550 RT —— 1600°C
- L75V 1750 RT —— 1750°C
- L75V 2000 RT —— 2000°C
- L75V 2400 RT —— 2400°C
- L75V 2800 RT —— 2800°C
附件：
- 样品制备设备
- 不同类型的真空涡轮分子泵
- 不同类型（设计/材质）的样品架
- 通过游标卡尺对试样长度的在线输入
- 通过转台配置多炉体
- 可选多达4种气体的混气箱
- 各种旋转式和涡轮分子泵
- 可在氢气环境下运行
材料
聚合物，陶瓷/玻璃/建材，金属/合金，无机物
工业领域
陶瓷，建材和玻璃工业，汽车/航空/航天，企业研发和学术科研，金属/合金工业，电子工业
玻璃陶瓷
该热膨胀仪是用于确定玻璃陶瓷材料热膨胀系数（CTE）和软化点的优良方法。除了可以得到膨胀和膨胀系数（CTE），还可以获得膨胀的一阶导数。一阶导数为零时可以确定热膨胀的值和材料的软化点。
陶瓷/粉末冶金
在高科技陶瓷生产过程中，对烧结过程模拟引起人们的广泛兴趣。当使用可选软件包——烧结速率控制软件（RCS）时，根据PALMOUR III理论可以利用膨胀仪进行编程控制烧结。以下是氧化锆的烧结过程。最终获得100％的密度。在达到最终密度时初始加热速率也随之降低。
