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BDSJ-CP300 单晶硅压力传感器配套组件 宣中科技

参考价
1000.00
具体成交价以合同协议为准
规格
  • 请输入1000.00元1500 套可售
  • 型号BDSJ-CP300
  • 品牌其他品牌
  • 所在地上海市
  • 更新时间2023-09-25
  • 厂商性质生产厂家
  • 入驻年限1
  • 实名认证已认证
  • 产品数量43
  • 人气值222
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上海宣中科技发展有限公司是工业自动化仪表:压力仪表、物位仪表、流量仪表、温度仪表的制造商。也是南京德尔森集团公司单晶硅压力传感器产品在中国的销售公司。

公司秉承着“专业、创新、诚信、值得信赖”的经营理念,致力于单晶硅压力/差压传感器技术为工业领域提供优质的产品及服务。“客户信赖的品牌供货商”是我们企业追求的目标。

以好的价格、最完善的服务、提供品质有保障的产品来满足客户需求,以提高客户生产效率及产品质量。

目前公司拥有一支技术过硬、勇于创新、经验丰富的研发团队,公司产品一经投入市场,即受到客户的广泛认同。MEMS单晶硅压力/差压传感器已成为品质稳定、性能优良、性价比高的象征。

单晶硅传感器采用*的MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片、单晶硅双粱悬浮式设计,实现了超高的过压性能,也确保了信号的优异稳定性。内嵌智能测压膜盒与信号处理模块,实现静压与温度补偿的结合,可在大范围内提高测量精度和稳定性。

上海宣中科技发展有限公司期待与您携手共进,互利共赢。

 

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产地进口 加工定制
BDSJ-CP300压力传感器组件采用德国*的MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片、单晶硅双粱悬浮式设计,实现了优秀的过压性能,也确保了信号的优异稳定性。内嵌智能原装测压膜盒与信号处理模块,实现静压与温度补偿的结合,可在大范围内的静压和温度下提供测量精度和稳定性。
单晶硅压力传感器配套组件 宣中科技 产品详情

产品简介:

BDSJ-CP300压力传感器组件采用德国*的MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片、单晶硅双粱悬浮式设计,实现了的过压性能,也确保了信号的优异稳定性。内嵌智能测压膜盒与信号处理模块,实现静压与温度补偿的结合,可在大范围内的静压和温度下提供的测量精度和稳定性。

BDSJ-CP300压力传感器组件采用德国*的MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片、单晶硅双粱悬浮式设计,实现了的过压性能,也确保了信号的优异稳定性。内嵌智能测压膜盒与信号处理模块,实现静压与温度补偿的结合,可在大范围内的静压和温度下提供的测量精度和稳定性。

BDSJ-CP300压力传感器是被测压力直接作用于传感器的膜片上,使膜片产生与压力成正比的微位移,用集成电子电路检测这一变化,并转换输出一个相对应压力的标准测量信号。

产品特点:

高准确度压力

传感器在 0~10kPa~40MPa 的 测量范围内,可进行高准确度测量。

标准校验量程精度:±0 .075% FS

优异的过压性能

40kPa 标准量程芯片过压达6MPa

优异的环境适应性

智能压力补偿和温度补偿,保护变送器不受温度与过压的影响,将现场的综合测量误差控制到最小。

灵活的量程压缩

S2 量程比:4:1(10:1 可选)

M1~M4 量程比:4:1(10:1 可选)

L1 、L2 量程比:4:1(10:1 可选)

优异的操作性和使用便利性

备有 5 位带背光 LCD 数字显示器

多种显示功能 (Pa、kPa、MPa、 bar、mbar、%、psi、mm H2 O )

内置三按键快捷操作就地调整功能

通过手机 APP 进行远程调试

备有各种抗腐蚀材料

全面自诊断功能

规格参数:

测量原理:双梁悬浮式 / 单晶硅传感器

■  被测流体:液体、气体、蒸汽

■  输出信号:4~20mA DC+HART 协议

■  电源电压:

一般用途:10.5~45V DC

本安防爆:10.5~26V DC

■  动力线的间隔:15CM以上  (请避免平行配线)

■  饱和电流:上限  20 .8mA   下限   3.8mA

■  报警电流:上限  22 .8mA   下限   3.6mA

(模式可设置)

■  调整功能:零点、满量程点可从通过外壳顶部三按键进行就地调整或者可利用组态软件进行远程调整

■  零点迁移:可在量程的 -20%到 +20%的范围内迁移

■  输出方式:线性输出  平方根输出 (可通过组态软件进行远程调整)

■  工作温度:  -40~85℃

■  膜片材质:

选型码

膜片材质

SS

SUS 316L

HC

哈氏合金

TA

钽膜片

GD

镀金膜片

■  位置影响:在水平位置和垂直位置之间大约 200Pa

■  响应时间:10ms

■  过压影响: < 0.05% FS/10MPa

■  稳 定 性: ≤ 0.03% FS/ 年

■  电源影响: < 0.005% FS/V
















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