RCQ1A 微波漏能测试仪 RCQ1A

RCQ1A微波漏能测试仪

一 概述

RCQ1A为宽带微波漏能测试仪（微波泄漏测试仪），宽带微波漏能测试仪（微波泄漏测试仪）是用来测量频率从915MHz～12.4GHz连续波的微波泄漏功率密度（10μW/cm²～100mW/cm²），RCQ1A为宽带微波漏能测试仪（微波泄漏测试仪）可供微波辐射防护科研单位，微波在国防、工业、医疗方面的应用部门，以及有关工厂、院校、研究所用来测量微波设备的泄漏功率密度的大小，RCQ1A为宽带微波漏能测试仪（微波泄漏测试仪）为便携式，使用简便，用八节1.5V干电池供电，也可用220V_～交流电供电。

二 技术参数

1、技术指标

RCQ1A为宽带微波漏能测试仪（微波泄漏测试仪）由指示器和微波探头两部分组成。

（1）指示器由场效应管器和晶体管直耦合放大器组成。

（2）微波探头由喷镀在薄膜介质机体上的两对正交偶极子天线和铋锑热电偶组成，外加防护罩和握手柄以及插头。

2、测量频率范围：915MHz～12.4GHz。

3、测量功率密度范围：10μW/cm²～100mW/cm²±2.5dB。

4、指示器共分100μW/cm²、500μW/cm²、1mW/cm²满度三档。

5、微波探头，仪器配用三个灵敏度不同的微波探头，用来扩大量程。各个探头的量程如下：

×1微波探头10μW/cm²～1mW/cm²

×10微波探头100μW/cm²～10mW/cm²

×100微波探头1mW/cm²～100mW/cm²

附有仪器调零用的零功率密度模拟器一根，微波校准表一份，稳压源一只。

6、RCQ1A为宽带微波漏能测试仪（微波泄漏测试仪）能在下列环境中连续工作8小时。

（1）环境温度：-10^OC～+40^OC

（2）相对温度：≤80％（+40^OC）

（3）大气压力：750±30mmHg

7、RCQ1A为宽带微波漏能测试仪（微波泄漏测试仪）电源为12V，工作电流为10mA左右，用八节1.5V干电池或稳压源供电，仪器的功率消耗约12VA。本仪器出厂是不附干电池。

8、仪器的外形尺寸：160×120×232（mm）。

9、仪器的重量：指示器连三根微波探头约4kg,连存放箱约6kg。

三 工作原理

测量微波泄漏功率密度，为了不干扰和破坏被测场，能够较为准确的测量，通常采用短小天线作为接收单元，本仪器微波探头的接收单元由喷镀在薄膜介质基体上的两对正交偶极子天线和铋锑热电偶元件组成偶极子天线。接收微波能量，并耗散在铋锑元件中，由铋锑元件进行热电偶电转换，产生温差电动势（微弱的直流电势），铋锑热偶输出的微弱直流讯号再输入到一只高灵敏度的直流斩波放大器作功率密度直读指示。

1、微波探头部分

微波探头由两片喷镀成一定图形的膜片相叠而成（见图1），当微波探头未放入微波泄漏辐射场时，铋锑热偶元件没有温差，因而没有电势输出，当微波探头放入微波泄漏辐射场中时，小偶极子天线接收到微波功率时，铋锑热偶元件在冷热结点之间产生温差（珀尔贴效应），从而温差电动势，（赛贝克效应）由于两对铋锑热偶元件是串联的，所以它们的总电动势等于每对电动势之和，L总=L₁+L₂，每对热电偶的直流输出与这一热电偶所连接的偶极子天线上的电场强度切向分量的（L₁+L₂）平方成正比，合成的输出作为功率P被指示出来（见图2正交天线原理示意图）。

P=K（|L₁|²+|L₂|²）=K[|E|²（sin²θ+cos²θ）]=K|E|²

由上式可见，当被测场的电场强度失量处在两对偶极子天线组成的平面内时，只要两对铋锑热偶元件对称性比较一致时，其功率密度指示基本上不受极化影响（即无方向性），但由于制造工艺上的困难，两对铋锑热偶不能做到相当对称一致，所以本微波探头还是有一定的方向性。

2、指示器部分

指示器是一只直流斩波放大器采用结型场效应管直流斩波放大线路，其方框图见图3，输入讯号接到调制器，调制器的作用是将直流信号调制成交流信号，经电容耦合到交流放大器进行放大，放大器采用直偶式多级放大，放大后的信号通过电容耦合到介调器，介调器的作用是把交流信号变换成直流信号来推动表头。

线路采用了局部反馈和全部反馈电路，控制放大器的增益，使晶体管本身噪音和外部干扰得到抑制，增益稳定调零电路采用交流调零方式，放大器增益约40dB左右，指示器的电源用八节1.5V干电池串联或稳压源供电。

四 结构特征

本微波漏能测试仪是便携式，有微波探头和指示器组成，指示器和微波探头分别是单独整件，测量漏场使用时配合起来使用。

指示器的面板上装有表头，输入插座。工作选择开关盒调零电位器，其它元件全部装在仪器内部的底板上，其中有干电池盒，稳压源插座，调节分档灵敏度的电位器，以及放大器线路板，放大器线路板用铜盒子加以屏蔽，这样做是为了有效地防止外界电磁场的干扰。

微波探头由真空喷镀在薄膜介质基体上的两对正交偶极子天线和铋锑热电偶组成，其结构包括介质头、膜片固定座、帽、防护管和握手柄，防护管内有低通滤波器、以及插头，插头有微波效率校准电位器及刻度盘等。

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