不同测量条件下，1台进行高速测量
测量电容等零部件时，有时在不同条件下(频率、电平)测量多种测量项目，1条生产线中需要多台测量仪器。IM3570可再不同测量条件下进行高速连续测量，1台仪器即可满足所有要求。
检查速度提高了2倍(跟以往型号相比)
和*的以往型号(3532-50)相比，大大缩短了测量时间。LCR模式下，以往机型一般需要5ms的测量时间，而IM3570的检查速度提高了2倍。需要全数检查电子零部件的生产线中，IM3570发挥了作用。
测量的反复精度提高了1位(※1mΩ，100次测量时)
功能性高分子电容在推进低ESR化的同时，要求正确测量多个mΩ。IM3570在测量低阻抗时的精度比以往机型提高了1位，因此为用户提供稳定测量。
广范围的测量频率
IM3570可在DC和4Hz～5Hz的范围内设置5位分辨率的频带(1kHz以下为0.01Hz分辨率)。可在接近共振频率的测量和工作条件的状态下进行测量和评价。
15种测量参数
可测量Z、Y等15种参数，并将需要的参数读取至计算机中。
具备防止误操作的接触检查功能
装载了4端子测量、2端子测量的接触检查功能。防止在测量电极不接触被测物的状态下测量的情况，因此可以避免出现未检查的产品出厂。
广范围的测量电压/电流
外加一般的开路信号发生，可在恒压/恒流模式下进行考虑到电压/电流依存性的测量。可设置广范围的、5mV~5V/10μA~50mA(~1MHz)以下的测量信号电平。
测试线可延长至4m
4端子的构造可降低测试线的影响，测试线长达4m仍可保证精度。从而便于自动设备的配线。
主要参数
| 测量模式 | LCR模式：单一条件下测量 分析仪模式： 根据测量频率、测量电平进行扫描 (测量点：1~801，扫描方法：一般扫描/分区扫描，显示：列表显示/图表显示) 连续测量模式： 连续测量保存的条件(最多32个) |
| 测量参数 | Z、Y、θ、Rs(ESR)、Rp、Rdc(直流电阻)、X、G、B、Cs、Cp、Ls、Lp、D(tanδ)、Q |
| 测量量程 | 100mΩ~100MΩ，12档量程(所有参数都根据Z来确定) |
| 基本精度 | Z：±0.08%rdg. θ：±0.05° |
| 测量频率 | 4Hz~5MHz(10mHz~100Hz步进) |
| 测量信号电平 | 普通模式： V模式、CV模式：5mV~5Vrms(1MHz以下)， 10mV~1Vrms(1MHz~5MHz)，1mVrms步进 CC模式：10μA~50mArms(1MHz以下) 10μA~10mArms(1MHz~5MHz)，10μArms步进 低阻抗高精度模式： V模式、CV模式：5mV~1Vrms(100kHz以下)， 1mVrms步进 CC模式：10μA~100mArms(100kHz以下的100mΩ和1Ω量程)， 10μArms步进 |
| 输出阻抗 | 普通模式：100Ω 低阻抗高精度模式：10Ω |
| 显示 | 彩色TFT5.7英寸，可设置显示开或关 |
| 显示位数设置 | 可设置3~7位的显示位数，初始值为6位 |
| 测量时间 | 0.5ms(100kHz、FAST、显示关，代表值) |
| 测量速度 | FAST/MED/SLOW/SLOW2 |
| DC偏压测量 | 普通模式：DC0V~2.50V(10mV步进) 低阻抗高精度模式：DC0V~1.00V(10mV步进) |
| 直流电阻测量 | 普通模式：测量信号电平 DC100mV~2.5V(10mV步进) 低阻抗高精度模式：测量信号电平 DC100mV~1.00V(10mV步进) |
| 比较器 | LCR模式：第1、第3项目的Hi/IN/Lo 分析模式： 区域判断(各点的Hi/IN/Lo)、 峰值判断(极大、极小的频率和值的Hi/IN/Lo) |
| 存储功能 | 主机可保存32000个数据 |
| 接口 | EXT I/O(handler) RS-232C GP-IB USB(Hi-Speed/Full-Speed) U盘 LAN(10BASE-T/100BASE-TX) |
| 电源 | AC90~264V，50/60Hz，150VA |
| 体积和质量 | 约330W×119H×307Dmm，约5.8kg |
