DHRM1射频磁控溅射镀膜装置主要由溅射镀膜室、真空抽气系统、气源进气调节系统、衬底加热温度控制系统、射频电源等部分组成。由于磁控溅射能够**地控制工艺参数和提高膜层附着力、密度及均匀性，已成为沉积薄膜的重要方法之一，射频磁控溅射具有沉积速率高，可以溅射任何材料，包括导体、半导体和介质材料等特点。由于在低气压下溅射，因此膜层致密、针孔少、纯度高。
可开设的实验
1、掌握射频磁控溅射法制膜的基本原理；
2、了解磁控溅射镀膜仪的操作过程及使用范围；
3、磁控溅射法制备金属膜、半导体膜、化合物膜、介质膜等薄膜。
主要技术参数
1、溅射镀膜室：由不锈钢底与玻璃钟罩组成；有效尺寸：Φ220×H230mm3；
2、溅射镀膜室本底真空：≤1Pa；溅射腔极限真空：6×10-1Pa；
3、溅射靶：Φ50mm，溅射靶台和溅射靶可调距离：20～60mm；
4、基片加热温度可控范围：室温～300℃；
5、射频源功率：500W，13.56MHz；
6、气路系统：由两路转子流量计控制（可选配质量流量计）；
7、真空系统：2XZ-4型旋片真空泵，抽气速率：4L/S，单相220V交流电源供电；
8、对过流过压、断路等异常情况进行报警，并执行相应保护措施；
9、供电电源：AC220V，50Hz，整机功率2KW。
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