错位缺陷可视化装置EnVision SEMILAB
光致发光WT-2000PL,错位缺陷可视化装置EnVision,非接触式迁移率测量LEI-1610系列,FAa lei-1610E100AM,LEI-1610E100R,LEI-1616AM,LEI-1618AM,LEI-1616RP,LEI-1618RP
错位缺陷可视化装置EnVision SEMILAB
错位缺陷可视化装置EnVision SEMILAB
光致发光WT-2000PL,错位缺陷可视化装置EnVision,非接触式迁移率测量LEI-1610系列,FAa lei-1610E100AM,LEI-1610E100R,LEI-1616AM,LEI-1618AM,LEI-1616RP,LEI-1618RP,非接触式薄层电阻涡流LEI-1510系列,FA,lei-1510EB-RP,LEI-1510EC-RP,LEI-1510EB-RS,LEI-1510EC-RS,
LEI-1510EB,LEI-1510EC,高电阻率测量仪COREMA-2000,非接触式迁移率测量LE1-1610系列
FAa lei -1610E100AM,LEI-1610E100R,LEI-1616AM,LEI-1618AM,LEI-1616RP,LEI-1618RP,非接触式CV测量装置Cn_CV 350 CV/IV,非接触式CV测量装置Cn-CV 330/230 CV/IV
产品介绍
WT-2000 系列能够进行高速测量（20 晶圆/小时 - 2500 点），还支持高分辨率映射测量。
提供 266nm、355nm、405nm、532nm、785nm 和 980nm 的多种激光选项
晶体缺陷可视化装置 EnVision 是一种非破坏性、非接触式半导体检测系统，可以在 15 nm 级别可视化位错缺陷。错位缺陷的可视化使得过去依赖于工艺工程师的经验和直觉的工艺工作的定量优化成为可能。
对于2英寸到8英寸的硅晶圆和化合物半导体（GaAs、GaN、InP 等）外延晶圆，可以对载流子迁移率、薄层电阻和薄层电荷密度进行非接触和非破坏性测量。
COREMA-2000 能够对硅和化合物半导体进行非破坏性和非接触式电阻率测量。我们可以处理过去难以处理的超高电阻基板，例如半绝缘材料。
Cn-CV 350 CV/IV 系统基于获得的Corona-Kelvin 方法提供 Semilab SDI 高级 CV/IV 测量，用于介电和界面特性的非接触成像。这个旗舰平台能够从双 FOUP 装载端口装载站自动处理晶圆，并且能够在苛刻的大批量生产环境中支持在线测量。
Cn-CV 330/230 CV/IV 系统基于获得的Corona-Kelvin 方法提供 Semilab SDI 高级CV/IV 测量，用于监测晶圆上的介电和界面特性的非接触式成像。
