特点及用途：
PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式,低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单。
配有前端预加热炉，辅助固态源蒸发，后端为单温区加热炉 ，温度控制精确，操作简便，对于气相沉积，二维材料，等离子处理生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
1.与传统CVD系统比较，生长温度更低。
2.使用滑轨炉实现快速升温和降温。
3.设备的技术使得整管辉光均匀等效，均匀生长
1.加热系统
| 温度 | 1200℃ |
| 使用温度 | ≤1100℃ |
| 炉膛有效尺寸 | Φ50mm（炉管直径可根据实际需要定制） |
| 炉膛材料 | 氧化铝、高温纤维制品 |
| 热电偶类型 | K型热电偶 |
| 控温精度 | ±1℃ |
| 控温方式 | 30段可编程控温，PID参数自整定 |
| 加热长度 | 200+200mm |
| 恒温长度 | 100+100mm |
| 加热原件 | 电阻丝 |
| 供电电源 | 单相，220V，50Hz |
2、预热系统系统
| 温度 | 400℃ |
| 炉膛有效尺寸 | Φ50mm（炉管直径可根据实际需要定制） |
| 炉膛材料 | 氧化铝、高温纤维制品 |
| 热电偶类型 | K型热电偶 |
| 控温精度 | ±1℃ |
| 控温方式 | 30段可编程控温，PID参数自整定 |
| 加热长度 | 100mm |
| 加热原件 | 电阻丝 |
| 额定功率 | 800W |
3、PE系统
| 功率输出范围 | 0W~500W |
| 反射功率 | 100W |
| 射频输出接口 | 50 Ω, N-type, female |
| 功率稳定度 | ≤5W |
| 谐波分量 | ≤-50dbc |
| 供电电压 | 单相交流（187V-253V） 频率50/60HZ |
| 整机效率 | >=70% |
| 功率因素 | >=90% |
| 冷却方式 | 强制风冷 |
4、三路质子流量控制系统
| 连接头类型 | 双卡套不锈钢接头 |
| 标准量程（N2) | 50sccm，100sccm、500sccm（可根据用户要求定制） |
| 准确度 | ±1.5%F.S |
| 线性 | ±1%F.S |
| 重复精度 | ±0.2%F.S |
| 响应时间 | 气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec |
| 工作压差范围 | 0.1～0.5 MPa |
| 压力 | 3MPa |
| 接口 | Φ6,1/4'' |
| 显示 | 4位数字显示 |
| 工作环境温度 | 5~45高纯气体 |
| 压力真空表 | －0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格 |
| 截止阀 | Φ6 |
| 内外双抛不锈钢管 | Φ6 |
5、低真空机组
| 空气相对湿度 | ≤85% |
| 工作环境 | 5℃～40℃ |
| 工作电电压 | 280V |
| 抽气速率 | 32m³/h |
| 极限真空 | 5X10-1Pa（空载冷态） |
| 工作压力范围 | 1.01325X105～1.33X10-2Pa |
| 耐压值 | 0.03MPa |
| 进气口口径 | KF40 |
| 排气口口径 | KF40 |
| 连接方式 | 采用波纹管，手动挡板阀与波纹管相连 |
