Ga2O3氧化镓单晶衬底(直径2英寸)

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氧化镓是新一代功率半导体和深紫外光电子半导体材料,其禁带宽度为4.9eV,远远大于氮化镓(3.3eV)、碳化硅(3.4eV)和硅(1.1eV)的禁带宽度。在功率半导体方面,氧化镓的击穿电场强度是硅的20多倍,是碳化硅和氮化家的2倍多,氧化镓的击穿电场强度可达8MV/cm。由于氧化镓在诸多领域的重要应用价值,氧化镓材料和器件的研究与应用,已成为当前研究与开发的热点和重点。为此,我们提供2英寸的Ga2O3单晶衬底。
标准技术参数:
备注:如需要其它晶面和尺寸的Ga2O3单晶衬底,请与我们联系。